Цитата(n_bogoyavlensky @ Nov 17 2010, 01:04)

Хотелось бы немного обсудить статью
"Помехоустойчивые устройства".
внимательно статью не читал, но после:
Код
На фиг.12 слева земляной полигон соединен с чистой землей платы несколькими переходными отверстиями. За счет этого устройство оказывается не помехоустойчивым. Помеховый ток, протекающий по чистой земле и уходящий в истинную землю через емкостную связь, создает градиент потенциала ("перекос"). Переходные отверстия передают перекос на земляной полигон микроконтроллера. Помеховый ток частично протекает через ножки микроконтроллера, подключенные к полигону, что может вызвать сбой.
На фиг.12 справа земляной полигон микроконтроллера соединен с чистой землей в одной точке, рядом с земляной ножкой микроконтроллера. Помехоустойчивость устройства максимальна, т.к. чистая земля на противоположной стороне платы при этом становится разновидностью экрана, защищающего "сверхчистую" землю полигона.
т.е. путаются принципы подключения микросхем и устройств к общей земле - крайне не рекомендовал бы статью.
Посмотрите работы Л.Н. Кечиева,
например "Проектирование печатных плат для цифровой быстродействующей аппаратуры", там все изложено в лучшем виде.
Цитата(n_bogoyavlensky @ Nov 17 2010, 01:04)

Конкретно, интересует подавление наносекундных помех (барьеры).
Применительно к резисторам.
1. Как влияет тип резисторов ...
т.е остальные меры по ЭМС приняты?