Снова про ZVS фазомод Опции

[Sergey_G]

Есть задача из трёхфазной сети (выпрямленное напряжение на шине соответственно 500...750В постоянки) сделать 75В 100А.
Я сначала попробовал замутить трёхуровневую схему управляемую UCC28950 в режиме current mode control, однако после второго палева ключей лишний раз убедился, что такие задачи с наскоку не решаются, решил немного переосмыслить концепцию и спросить совета чтоб поменьше граблей собрать на этом увлекательнийшем пути.

Итак, люди с опытом в фазомодах, первый вопрос про топологию моста:
1. Есть ли смысл при данных требованиях заморачиваться с 3-х уровневой схемой или всё же классический мост оптимальнее?
Основной посыл был при первом выборе 3-х уровней это дешевизна и доступность 600 вольтовых Mosfet-ов по сравнению с оными на 1200 Вольт.
Однако почитав немного аппликух и этот форум, вроде как 1000 Вольтовых ключей мне должно хватить. Тут уже их стоимость увеличивается не так принципиально.
Ну, например как предел бюджета IXFB38N100Q2, или возможно даже хватит IXFK24N100.
Хотя, возможно, кремний-карбид транзисторы от Cree тут бы самый раз, но уж больно небюджетно.
Идея Direct Sense в LTC3722(после прочтения форума на неё обратил внимание) мне понравилась, насколько её воплощение получается безглючным?

Приоритеты следущие - на первом месте надёжность устройства. На втором себестоимость производства, на третьем размеры. Хотелось бы запустить это хозяйство на 100кГц, чтоб транс и дроссели не сильно раздувать. 30кГц и IGBT как-то не очень хочется.

Вопрос 2. Как оптимальнее драйверить ключи. В первой итерации я использовал Gate Drive трансформаторы с ускоряющими закрывание PNP транзисторами в затворах. Или это плохая идея и лучше иметь изолированный драйвер прямо в затворе с закидыванием туда питания? Есть ли на практике необходимость заводить затворы в минус для обеспечения помехоустойчивости?

3. Выходной выпрямитель видимо тупо ультрафаст диоды, при 75 Вольтах сильно я не проиграю. Хотелось бы получить результирующий КПД не хуже 0.9

Входная часть на полууправляемом (для плавного старта и функций защиты) трёхфазном мосте и дросселе в качестве пассивного PFC уже готова. Кстати у иксуса был глюк в даташитах серии VVZ, мои наезды на них закончились исправлением даташита, была ошибка в распиновке, кому интересно могу сообщить детали.

4. При изменении нагрузки от 0 до 100% провал на выходе не должен превышать 1.5В, в противном случае (если он больше), обратная связь должна загнать выход в рамки за 50 микросекунд. Можно это реализовать с разумным кол-вом выходной ёмкости и voltage mode control, или current mode тут будет оптимальнее?

5. Можно ли из практических соображений рассчитывать на 80% duty cycle при минимальном входном напряжении или 20% не хватит для перемагничивания резонансного дросселя если исходить из частоты 100к?

Спасибо, впрочем на этом вопросы явно не закончатся.

[gumet]

первый вопрос

Таки первый ответ.

Типо, приемлемые комм. потери можно получить и без геморроя с фазником. Ну а ежели не брезговать 900-вольтовыми бюджетными айжабятами, то и на 40 кГц можно получить нужный габарит, включив стойки мостика параллельно. Динамические потери будут ещё меньше, т.к клацающая паразитная ёмкость айжабят зело меньше чем у половиков, а фазник ведь и городится в угоду упомянутой ёмкости.

Сообщение отредактировал gumet - Mar 1 2011, 17:32

[Sergey_G]

Таки первый ответ.
Типо, приемлемые комм. потери можно получить и без геморроя с фазником. Ну а ежели не брезговать 900-вольтовыми бюджетными айжабятами, то и на 40 кГц можно получить нужный габарит, включив стойки мостика параллельно. Динамические потери будут ещё меньше, т.к клацающая паразитная ёмкость айжабят зело меньше чем у половиков, а фазник ведь и городится в угоду упомянутой ёмкости.

Большое спасибо за идею, очень интересно.
Если это в LTSpiсe, не поделитесь ли исходником, чтоб я сам мог покрутить?
e-mail скинул в личку.
Теперь про 900Вольт IGBT. Во всех рекомендациях что я встречал, на 750 вольт шины необходимы 1200В IGBT. Например у того же Колпакова читаем:

Ввиду большей стойкости Mosfet к лавинному пробою, 500В Mosfet сравнивается с 600В IGBT

Это собственно не проблема (1200В IGBT), но у меня вопрос:
когда Вы сравниваете динамические потери, то какой схемы с какой?
Мост с разделёнными обмотками и параллельными стойками на IGBT 1200Вольт и ZVS фазомод на 1000вольт полевиках?
Или сравниваете Мост с разделёнными обмотками с ним же, но стойками U/2?

Почему пишут что на мосту с разделёнными обмотками можно снимать больше с того же транса чем в фазомоде? Где физически сидит этот выигрыш?

ЛС отправить не могу, видимо ещё не дорос.
abc44def собака hotmail.com без пробелов.