Нагрев MOSFET, как оценить в зависимости от частоты коммутации Опции

[Pyku_He_oTTyda]

Собственно вопрос в названии темы, но распишу для понятности.
Необходимо оценить рассееваемую мощность на транзисторе IRF3205 при работе в ключевом режиме, с нагрузкой 8А при работе на частоте 300Гц и 2кГц.
Как правильно это сделать?

[Herz]

Во-первых, рассасывание диффузионного заряда в базе насыщенного транзистора при закорачивании ее вывода с эмиттером происходит очень быстро, из-за того, что объемное сопр-е базы даже у маломощных низковольтных современных БТ составляет величину порядка Ома.
Во-вторых, в данных схемах верхний транзистор никогда не бывает насыщен.

Да, но Вы базу с эмиттером не закорачиваете... Или диод восстанавливается дольше?
Впрочем, что ненасыщен - согласен, и это, конечно, важно.