Возможность трассировки (ARM9 + 2 SDRAM) с минимально возможными габаритами Опции

[koluna]

Здравствуйте!

Прошу высказаться по поводу возможности трассировки комплекта AT91SAM9G20 (LFBGA217) + 2 K4S561632N в четырех слоях с минимально возможными габаритами.
Удастся ли при этом разместить МС памяти одна под другой на разных слоях с учетом требований проводник/зазор/КП ПО: 0.127/0.137/0.5 (для BGA планируется технология NSMD)?
Насколько качественная при этом будет трассировка?

Буду очень благодарен за примеры трассировки в простейшем виде.

[Ant_m]

В целом, наверное итог такой - на 4-х слоях это сделать можно. Но есть но: про расположение SDRAM друг над другом, для высокой плотности, можно забыть. Иначе придется делать большой отступ от процессора до памяти чтобы дорожки можно развести. Но тогда высокая плотность исчезнет. Я правда весь в сомнениях - можно ли будет сделать SDRAM друг над другом и на 6-ти слойной плате. С TSSOP наверно можно, а вот с BGA...
З.Ы правда есть память с отзеркаленной разпиновкой ног... Может быть это "спасет отца русской демократии"(с)

[forever_student]

...про расположение SDRAM друг над другом, для высокой плотности, можно забыть...

Делал на 4-х слойной плате: с одной стороны 2хBGA (как раз SDRAM), с обратной стороны - TSSOP48+ вся обвязка