IGBT ключ, странные выходы из строя Опции

[Марк_Я]

Я не очень часто использую IGBT, поэтому был весьма удивлен, когда в типовой схеме включения происходит пробой транзистора (все электроды стянуты в точку).
Намагничивающее устройство. Импульсы разовые (не чаще 1...2 секунд период). Конденсатор разряжается в катушку. Ток около 90 ампер в пиковом значении. Время процесса около 750 мкс (импульс запуска длиннее).
Драйвер 6 амперный. Блокировки по питанию не показаны, но имеются.
Транзистор имеет импульсный допустимый ток 220 ампер. Напряжение коллектора 600 вольт (у меня всего 300...320).
Вроде все ОК...
Схема:
[attachment=54846:react.jpg]

Я в некотором недоумении.
Спасибо.

Сообщение отредактировал Марк_Я - Mar 28 2011, 11:02

[Марк_Я]

Цел диодик. Только что прозвонил.
А чего ему станется, он 200-амперный в импульсе до 8 мс. У меня столько энергии то в электролите нет...
Ток проверял по простому - осциллографом (разовый запуск, Тектроникс 100 МГц) - падение на 0,5 ома резисторе.
Дело в том, что схема развязана от сети трансформатором 220-220 и можно землить любую точку при измерениях.
Думаю, что кроме омического сопротивления катушки (которое я намерял тестером) еще имеется скин эффект. И он увеличивает эти 1,2 ома. Причем заметно. Ну и сопротивление электролита тоже вполне конечно...

Сообщение отредактировал Марк_Я - Mar 28 2011, 11:28

[НЕХ]

А чего ему станется, он 200-амперный в импульсе до 8 мс.

никаких миллисекунд - только микросекунды !

подходящие тиристоры для этой задачи (не умирают от больших dI/dt) http://www.impsyst.ru/

"Strobe IGBT" для ламп-вспышек выпускаются на токи в сотни ампер в корпусах soic.

а параллельно КЭ - поставьте трансил вольт на 400
и драйвер, не работующий меньше 15 вольт, например, HCPL3120/

(в приложениях, где важно быстрое включение (единицы наносекунд), IGBT уступают MOSFET из-за "динамического насыщения" - падение напряжения на ключе слишком велико поначалу...)

Сообщение отредактировал НЕХ - Mar 29 2011, 11:43

[Марк_Я]

никаких миллисекунд - только микросекунды !

Вы не поняли. Это речь шла о ДИОДЕ шунтирующем катушку на обратном ходе.
200 ампер допустимы через 1N5408 при длительности импульса не более 8 мс.
Только об этом шла речь.
Представленная схема срабатывает ОЧЕНЬ редко (скважность не менее 1000). Встроенный диод транзистора нормирован в даташите, но и его я продублировал ультрафастом. Выключение транзистора происходит ПОСЛЕ завершения процесса. Т.е. на нулевом токе коллектора.
Сам транзистор тоже ультрафаст. Включается за 30...40 нс, выключается за 120 нс.

Да, кстати - резистор в полома переставьте лучше на коллектор. Тогда к моменту закрывания почти весь ток будет уже идти через диод, а не весь переключаться.

При выключении тока НЕТ. Весь вышел... Режим такой...

[_Pasha]

Встроенный диод транзистора нормирован в даташите, но и его я продублировал ультрафастом. Выключение транзистора происходит ПОСЛЕ завершения процесса. Т.е. на нулевом токе коллектора.
Сам транзистор тоже ультрафаст. Включается за 30...40 нс, выключается за 120 нс.

Все-же, а почему стоит не ультрафаст-версия 5408. Не, я понимаю - там в пике 150А, но все же?

[AlexeyW]

Все-же, а почему стоит не ультрафаст-версия 5408. Не, я понимаю - там в пике 150А, но все же?

Есть большое подозрение, что скорость диода определяет только процессы закрывания, открывание же определяется только индуктивностью цепи. Утверждать не буду, но вроде это так.

[_Pasha]

Есть большое подозрение,

Ага, понял, спасибо.