Нагрев MOSFET, как оценить в зависимости от частоты коммутации Опции

[Pyku_He_oTTyda]

Собственно вопрос в названии темы, но распишу для понятности.
Необходимо оценить рассееваемую мощность на транзисторе IRF3205 при работе в ключевом режиме, с нагрузкой 8А при работе на частоте 300Гц и 2кГц.
Как правильно это сделать?

[Herz]

База с эмиттером в схеме действительно не замыкается, но, в таком случае, поясните, как может открыться "правый" диод, если заряд в базе верхнего транзистора не рассосался (предположим даже, что он был насыщен), и, соответственно, потенциал базы не упал практически до потенциала эмиттера? Ведь это есть необходимое условие возникновения "сквозняка".

Простите, я не понял, что именно Вы называете необходимым условием...
И что, собственно, мешает открыться "правому" диоду в тот самый момент, когда потенциал на его катоде станет ниже потенциала анодного, т.е. с открытием нижнего транзистора?

[Stanislav]

Простите, я не понял, что именно Вы называете необходимым условием...

Отпирание "правого" диода. Из анализа схемы должно быть понятно, что это может произойти только если потенциал базы верхнего БТ сравняется с потенциалом его эмиттера. Что означает завершение процесса разряда диффузионной и барьерной емкостей БЭ, и, как следствие, полное прекращение тока через БТ.

И что, собственно, мешает открыться "правому" диоду в тот самый момент, когда потенциал на его катоде станет ниже потенциала анодного, т.е. с открытием нижнего транзистора?

См. выше.