Трассировка LVDS во внутр слоях, Не получается требуемое сопротивление Опции

[Digi]

Пытаюсь развести дифф пары. Rdiff=100 Ом. Параметры платы
TOP
prepreg 0.100
GND
Core 0.125
int1
prepreg 0.100
GND
.
.
.
Core 0.125
GND
prepreg 0.100
BOTTOM

Так вот на TOP и BOTTOM сопротивление получается как надо 0,2 зазор, 0,15 тольщина проводника, а вот во внутренних слоях получается засада: при толщине дорожки 0,1 и зазоре 0,25 сопротивление около 80 Ом. Как быть ? И должно-ли при таких параметрах платы получиться 100 Ом ?

[Uree]

Увеличивать толщину диэлектрика до опорных слоев земли сверху, снизу или обоих сразу. При этом внутр. зазор пары лучше взять поменьше - 0.2 или 0.15, иначе пара будет слабосвязанной. Но тогда расстояния до плэйнов придется еще больше увеличивать.

Например для случая
GND
Core 0.160
int1 0.5 Oz
prepreg 0.160
GND

W=0.1mm S=0.2mm получаем 100.7 Ома импеданс.