реклама на сайте
подробности

 
 
> Трассировка LVDS во внутр слоях, Не получается требуемое сопротивление
Digi
сообщение Apr 7 2011, 19:25
Сообщение #1


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 150
Регистрация: 20-08-04
Пользователь №: 529



Пытаюсь развести дифф пары. Rdiff=100 Ом. Параметры платы
TOP
prepreg 0.100
GND
Core 0.125
int1
prepreg 0.100
GND
.
.
.
Core 0.125
GND
prepreg 0.100
BOTTOM

Так вот на TOP и BOTTOM сопротивление получается как надо 0,2 зазор, 0,15 тольщина проводника, а вот во внутренних слоях получается засада: при толщине дорожки 0,1 и зазоре 0,25 сопротивление около 80 Ом. Как быть ? И должно-ли при таких параметрах платы получиться 100 Ом ?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
 
Start new topic
Ответов
sergun53
сообщение Apr 8 2011, 07:11
Сообщение #2


Участник
*

Группа: Свой
Сообщений: 71
Регистрация: 21-11-05
Из: Москва
Пользователь №: 11 158



С таким стэком, который выбран получить 100 Ом для диффпар нельзя
максимум 88 Ом и то уже при неприличных зазорах между проводниками.
Либо соглашайтесь на то что есть по сопротивлению, либо меняйте стэк.
Go to the top of the page
 
+Quote Post



Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 21st August 2025 - 12:20
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01354 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016