Нелинейная модель СВЧ МДП транзистора, методика построения нелинейной модели СВЧ МДП транзистора Опции

[Stefan1]

Приветствую!

Описание проблемы: нужно создать нелинейную модель СВЧ МДП транзистора по его эквивалентной схеме, чтобы она совпадала с реальными характеристиками прибора (ВАХи, CV-характеристики и др.) в пределах небольшой погрешности (~15 - 20%). В дальнейшем планируется использование этой модели для расчета оптимальных цепей согласования в полосе.

Основная сложность - трудность в воспроизведении ВАХов.
Вопрос: Может быть кто-то сталкивался с такой проблемой?

Готовые нелинейные модели не подходят, т.к. не обеспечивают требуемую точность совпадения с экспериментальными данными.
На данный момент пользуюсь программой microwave office.
Второстепенный вопрос: Может быть стоит использовать другие программы?

[sp1noza]

Скажите, а в какой программе будет проводиться моделирование?
Если в MWO то будучи аспирантом я определял параметры моделей полевого транзистора с затвором Шоттки по набору ВАХ и серии S-параметров снятых в различных рабочих точках по затвору и стоку. В принципе с помощью данной методики можно определить и параметры модели МДП транзистора.
Если интересно то могу отсканить свои статьи по этой теме и выслать на мыло или еще куда выложить...

Можно скинуть, если не трудно, статьи на email: sp1noza98@mail.ru

Интересно, как же мерить эти S параметры в различных рабочих точках? Если транзистор достаточно мощный то на больших токах он перегреется. Я так понимаю тут нужно водяное охлаждение либо в импульсе мерить?

Да, чтобы свести к минимуму явление разогрева, ВАХ и S-параметры можно измерять в импульсе. Также в импульсе можно измерить поведение ВАХ вблизи напряжения пробоя.

Еще импульсные измерения используют, чтобы отделить эффект разогрева и более сложные эффекты, например trapping effects (захват электронов ловушками в полупроводнике). Этот эффект сильно проявляется в GaN транзисторах, проведено много исследований на эту тему.