Нелинейная модель СВЧ МДП транзистора, методика построения нелинейной модели СВЧ МДП транзистора Опции

[Stefan1]

Приветствую!

Описание проблемы: нужно создать нелинейную модель СВЧ МДП транзистора по его эквивалентной схеме, чтобы она совпадала с реальными характеристиками прибора (ВАХи, CV-характеристики и др.) в пределах небольшой погрешности (~15 - 20%). В дальнейшем планируется использование этой модели для расчета оптимальных цепей согласования в полосе.

Основная сложность - трудность в воспроизведении ВАХов.
Вопрос: Может быть кто-то сталкивался с такой проблемой?

Готовые нелинейные модели не подходят, т.к. не обеспечивают требуемую точность совпадения с экспериментальными данными.
На данный момент пользуюсь программой microwave office.
Второстепенный вопрос: Может быть стоит использовать другие программы?

[uskov]

Скажите, а в какой программе будет проводиться моделирование?
Если в MWO то будучи аспирантом я определял параметры моделей полевого транзистора с затвором Шоттки по набору ВАХ и серии S-параметров снятых в различных рабочих точках по затвору и стоку. В принципе с помощью данной методики можно определить и параметры модели МДП транзистора.
Если интересно то могу отсканить свои статьи по этой теме и выслать на мыло или еще куда выложить...

Сообщение отредактировал uskov - Apr 13 2011, 14:33

[Stefan1]

Скажите, а в какой программе будет проводиться моделирование?
Если в MWO то будучи аспирантом я определял параметры моделей полевого транзистора с затвором Шоттки по набору ВАХ и серии S-параметров снятых в различных рабочих точках по затвору и стоку. В принципе с помощью данной методики можно определить и параметры модели МДП транзистора.
Если интересно то могу отсканить свои статьи по этой теме и выслать на мыло или еще куда выложить...

Моделирование пока планирую проводить в MWO.
Да, было бы интересно почитать. Если не сложно, можете скинуть мне на мыло: dgerom85@mail.ru.
Параметры моделей, имеется ввиду мощность, КПД? Интересно, как же мерить эти S параметры в различных рабочих точках? Если транзистор достаточно мощный то на больших токах он перегреется. Я так понимаю тут нужно водяное охлаждение либо в импульсе мерить?

[uskov]

Моделирование пока планирую проводить в MWO.
Да, было бы интересно почитать. Если не сложно, можете скинуть мне на мыло: dgerom85@mail.ru.
Параметры моделей, имеется ввиду мощность, КПД? Интересно, как же мерить эти S параметры в различных рабочих точках? Если транзистор достаточно мощный то на больших токах он перегреется. Я так понимаю тут нужно водяное охлаждение либо в импульсе мерить?

Я в основном работал с малошумящими ПТШ и для них такие параметры обычно приводятся. Для русских транзисторов делали запрос на завод. Для входных усилителей это важно, а для мощных актуально подавление гармоник, которое в основном зависит от нелинейности источника тока модели.
По поводу импульсных измерений в большесигнальном режиме, не особо уверен что получиться приемлемая точность. Для семелабовскох 15-ти ватных транзисторов не очень то получалось нормально посчитать.

Завтра буду сканить статьи... Как будет готово отпишусь...
Да еще хотел спросить. А какой транзистор?