Понижающий преобразователь на 1114ЕУ3 (TL494), умощнение выхода Опции

[Konrad]

Приветствую участников форума.
Коллеги, помогите советом...

В общем надобно собрать импульсный преобразователь 27В -> 5В/200-300мА на отечественной элементной базе. Для этих целей есть 1114ЕУ3 - полный аналог TL494.

Что смущает: в схемотехнических примерах по ИБП которые я видел почему- то для слаботочных применений выходной каскад организуется по схеме эмиттерного повторителя, а для мощных - с общим эмиттером и умощняется pnp-транзистором.


Я бы предпочел упощнить выход npn-транзистором и использовать схему эмиттерного повторителя, вот так:

(внутри TL494 показан только один выходной транзистор)

я не допускаю какую-нибудь ошибку?

Сообщение отредактировал Konrad - Apr 25 2011, 06:34

[domowoj]

Я бы предпочел упощнить выход npn-транзистором и использовать схему эмиттерного повторителя

Транзистор не будет работать как ключ,
вы посчитайте, падение напряжения на нем в "открытом" состоянии.
Это отразится на КПД вашего преобразователя.
Наверняка в перечне разрешенных есть pnp высокочастотные транзисторы, типа 2Т9хх

[Прохожий]

Транзистор не будет работать как ключ,

С чего это?
Или транзистор имени товарища Дарлингтона - уже не ключ?
А именно он и получается, если просочетать внешний транзистор с внутренним транзистором микросхемы.
Падение напряжения на этом составном транзисторе будет больше, чем в иных вариантах.
Зато скорость переключения будет так же выше.
В этой ситуации лично я пришел к выводу, что в качестве проходного должен быть составной транзистор с большим h_21э.
А транзистор(ы) микросхемы должны быть подключены эмиттерами к общему проводу.
Что, собственно, и изображено на рисунке 6 у ТС.
В этом случае будет и скорость и приемлемое падение напряжения.

[domowoj]

Или транзистор имени товарища Дарлингтона - уже не ключ?

Конечно ключ, но медленный и с бОльшим напряжением насыщения.
В схеме же ТС - составной эмиттерный повторитель
(посмотрите сообщение тов. Herzа)

КТ972, КТ973 к примеру.

Эти транзисторы - уникумы, их параметры получены
только за счет технологических ухищрений.

Konrad
Можно конечно изголиться и сделать составной pnp-npn транзистор,
но его параметры (напряж. насыщения? скорость) будут хуже одиночного pnp

[Konrad]

Конечно ключ, но медленный и с бОльшим напряжением насыщения.
В схеме же ТС - составной эмиттерный повторитель
(посмотрите сообщение тов. Herzа)

Эти транзисторы - уникумы, их параметры получены
только за счет технологических ухищрений.

Konrad
Можно конечно изголиться и сделать составной pnp-npn транзистор,
но его параметры (напряж. насыщения? скорость) будут хуже одиночного pnp

Правильно ли я понимаю смысл сказанного:

напряжение насыщения встроенных транзисторов вкл. по сх. эмиттерного повторителя 2,5В и соответственно на внешнем транзисторе будет 2,5+0,6 = 3,1, т.е. при токе 200ма мгновенная мощность 3,1*0,2 = 0,6Вт...
С другой стороны (рассуждения человека который первый раз в жизни делает импульсный преобразователь), при КПД 80% (не знаю точно какой КПД можно получить) входном и выходном напряжениях 27В / 5В ключ будет открыт примерно в течении 1/4 периода, т.е. средняя мощность на транзисторе 0,6/4 = 0,15Вт... Рассуждения верные?

И наконец, при мощности 0,15Вт можно вообще отказаться от внешнего транзистора ведь мощность на встроенных при токе 200ма: (2,5*0,2)/4 = 0,125Вт... При такой мощность металлокерамический корпус будет греться незначительно...

Сообщение отредактировал Konrad - Apr 26 2011, 13:15

[domowoj]

И наконец, при мощности 0,15Вт можно вообще отказаться от внешнего транзистора ведь мощность на встроенных при токе 200ма: (2,5*0,2)/4 = 0,125Вт... При такой мощность металлокерамический корпус будет греться незначительно...

Вообще-то экономить нужно каждый миллиВатт,
"делай хорошо - плохо само получится",
потерь у вас наберется и в других узлах вашего стабилизатора.
Кстати,
а какой дроссель предполагаете применить и
на какой частоте хотите работать?