реклама на сайте
подробности

 
 
> DDR SDRAM: Тайминги чтения сильно отличаются от спецификации
javalenok
сообщение May 14 2011, 18:00
Сообщение #1


Местный
***

Группа: Участник
Сообщений: 290
Регистрация: 18-02-06
Пользователь №: 14 469



Я взял модель DDR400 у самсунг. Она восприняла мой write правильно. На всех частотах. Я вижу что и данные в read выходят правильные вместе с DQS. Однако когдА они выходят!

Я ожидаю что-то вроде этого
Прикрепленное изображение


После периода RD, идёт низкий строб. Это два периода. После них, вместе с появлением данных, строб начинает повторять clock. Видите?

У меня тоже CL=2. Однако в симуляции строб опережает свой такт
Прикрепленное изображение
Прикрепленное изображение
Прикрепленное изображение


Вместо периода ожидания через 4 ns после RD начинается вывод данных. Период ожидания начинается не после того как мы клокнем команду RD передним фронтом, а более чем за пол такта до того. Как работать с такой фигнёй? Тут даже частоту не снизишь!?

PS! Когда всюду и у них в модели я вижу что DQS не должен убегать от CLK:
Код
`define tAC         0.7    // Output data access time from CK/CKB (min:-0.7, max:+0.7)

Модель показывает 4 ns спереди и соотв-но 6 ns сзади. Они сами в своей модели не исполняют спецификации!

Сообщение отредактировал javalenok - May 15 2011, 13:50
Go to the top of the page
 
+Quote Post
 
Start new topic
Ответов
Kompot
сообщение May 15 2011, 11:45
Сообщение #2


Местный
***

Группа: Участник
Сообщений: 242
Регистрация: 10-06-08
Из: Хочу в пампасы...
Пользователь №: 38 192



Цитата(javalenok @ May 14 2011, 22:00) *
Я взял модель... Она восприняла мой write правильно. На всех частотах. Я вижу что и данные в read выходят правильные вместе с DQS. Однако когдА они выходят!


Все упирается в достоверность моделей и вашего тестбенча.

В даташите - правильно. Ибо DQS при чтении точно повторяют входной клок - там в микросхеме памяти встроенная PLL есть. А на вашей симуляции он раньше появляется ИЗ памяти. Вот и покопайте вашу модель от Самсунга на предмет как там НА САМОМ деле генерируется DQS.
Вообще говоря,

А вот то, что данные появляются выровненными с DQS - это хорошо.

И напоследок. Чтобы на самом деле была польза от вашей симуляции, не забудьте в тестбенч добавить задержки всех сигналов от контроллера до памяти (сначала промоделировав в HYPERLYNX). Увидите много интересного.
И напоследок. Особое внимание уделите симуляции задержи ОБРАТНОГО сигнала (от памяти до контроллера). Я так и не осилил. Пришлось вводить параллельный однонаправленный канал данных и DQS на чтение, делать в нем after 2nS, а коммутацию шины данных осуществлять внешним "лишним" сигналом. Вот так вот.

Удачи.
Go to the top of the page
 
+Quote Post



Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 24th July 2025 - 16:15
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01357 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016