Помогите разобраться!. Источник питания 30В 30А. Опции

[PAN_Spirit]

Помогите разобраться в чём проблема, уже спалил два десятка транзисторов и десяток драйверов, а результата пока нет. Для меня это первое устройство в подобной тематике, поэтому своего опыта не хватает понять в чём проблема. Суть проблемы в следующем: хочу сделать источник питания на 30В, 30А, выбрал полномостовую схему, схема приведена в файле AC_DC.pdf
К разъёму XS1 подключается процессорная плата, с неё формирую ШИМ для управления транзисторами. Процессорная плата подключена к компу по COM порту, оттуда задаю частоту и скважность.
Испытывал схему, подключая вместо электролита (на выходе диодного моста) постоянное напряжение 50 вольт, схема работает нормально, на выходе имточника могу менять напряжение 0В-5В, параметры катушки подобрал опытным путём, сердечник Epcos N87 R63x38x25, первичная обмотка 32 витка, вторичная по 3 витка. Частота ШИМ 100кГц.
Вот осцилограмма на первичной обмотке при работе от 50В:

Но вот как только подаю на вход переменное 220 вольт начинаются проблемы. На электролите 317 вольт, как и должно быть, как только запускаю ШИМ взрываются транзисторы. Транзисторы IFR740 (10А, 400В), драйвер IR21084, естественно на радиаторах. Попробовал поставить транзисторы мощнее IRFP460 (20А, 500В), в результате транзисторы не взрываются, просто тихо сгорают и всё. Хотя по расчётам должно хватать и IFR740 (расчёты по книжке «Практика инженерной электроники. Источники питания»):
Pout=30В*30А=900Вт; Pin=900Вт/0.73(КПД)=1233Вт; Iin(номинальное)=1233/(220*1.141)=4А;
Iпиковое=(1.4*900)/(185*1.44)=4.8А; Vмин=185*1.141=262В, Vmax=1.414*270=382В.
Т.е. транзистор 4.8А, 382В.
Lpri=(262В*0,5)/(4,8*100*103)=2.73*10-4Гн, программой Coil32 расчитал число витков:
Превичная=7витков, вторичная по 1 витку. Далее экспериментально (на 50В) получил 32 витка первичная и вторичная по 3 витка.
Кто имеет опыт разработки подобных схем, помогите плиз!!!

Прикрепленные файлы

 AC_DC.pdf ( 54.09 килобайт ) Кол-во скачиваний: 563

 

[Wise]

Добавил переменный резистор последовательно с резистором затвора нижнего транзистора

с добавлением резистора увеличилась область когда открыты верхний и нижний ключ

..Затворные цепи и контуры принято выполнять минимальной длины и площади.
Поэтому, подстроечник там - это нонсенс..

..Что-либо менять в управлении одного ключа не имеет смысла: схема насквозь симметричная и менять надо одновременно во всех 4-х ключах.
Если вы хотели попробовать поэксперементировать по моей подсказке, так надо поставить диоды шотки, шунтирующие затворные резисторы, анодами к затворам; сами резисторы изменять перепайкой и одновременно..

[PAN_Spirit]

..Затворные цепи и контуры принято выполнять минимальной длины и площади.
Поэтому, подстроечник там - это нонсенс..

..Что-либо менять в управлении одного ключа не имеет смысла: схема насквозь симметричная и менять надо одновременно во всех 4-х ключах.
Если вы хотели попробовать поэксперементировать по моей подсказке, так надо поставить диоды шотки, шунтирующие затворные резисторы, анодами к затворам; сами резисторы изменять перепайкой и одновременно..

С диодами понятно, я писал выше что по идее нижний ключ открывается и закрывается между импульсами, поэтому там скорость закрытия нижнего ключа не имеет значения. Резистор переменный естественно временно поставил просто чтобы посмотреть как поменяется картинка, перепаивать все резисторы не очень удобно, потому как там часть дорожек восстановленная ещё и плата без паяльной маски, не очень удобно паять. Думал попробую на одном плече подберу сопротивление и тогда уже впаяю как надо. Но тот результат который я получил никак не ожидал увидеть... Вообще не могу понять как резистор в затворе нижнего ключа влияет на работу верхнего...
Диоды завтра поставлю, посмотрю может правда увеличится скорость закрытия транзистора, даже если поможет, для меня это будет загадкой почему, т.к. судя по картинке сам фронт там нормальный не затянутый, он просто поздно появляется почему-то, где обещанный dead-time в 500нс.