Расчет компенсационного конденсатора во входной цепи импульсного стабилизатора., На входе дроссель 100мкГн. Опции

[Alt.F4]

Поставил перед импульсным DC-DC преобразователем дроссель на 100мкГн и... стабилизатор "зажужжал".
Насколько я понимаю, на дросселе падает напряжение из-за импульсной нагрузки (1 / 500кГц = 2мкс).
Рассчитывая конденсатор по формуле С = I * dt / dU (где I=0.1A-2A), я пришел к выводу, что будет достаточно емкости 100мкФ (при dU не более 0,1В).
Однако не понимаю как связать возникающую ЭДС на дросселе с рассчетом конденсатора, ведь по идее эта ЭДС направлена в другую сторону?
Исходя из формулы e = L * dI / dt (где dI=0.1A-2A), на дросселе возникает ЭДС от 5В до 100В.
Спасибо.

[Alt.F4]

C считаете как обычную входную емкость для данного стабилизатора.

В том то и дело, что входная емкость стабилизатора по даташиту 10мкФ и ее не достаточно...

Чуть позже:
Я понял. При резком снижении тока нагрузки на дросселе всегда будет возникать перенапряжение. В моем случае будем считать, что ЭДС дросселя может достигать уровня 150В (при 3А).
Таким образом конденсатор надо подбирать по допустимому напряжению, а емкость рассчитывать как в первом посте.
Я прав?
Спасибо.

Сообщение отредактировал Alt.F4 - Jun 10 2011, 10:28

[halfdoom]

В том то и дело, что входная емкость стабилизатора по даташиту 10мкФ и ее не достаточно...

Конечно, если возможен резкий сброс нагрузки, то колебательный контур образуемый LC-фильтром даст значительные выбросы . Чтобы снизить добротность колебательного контура, нужно минимизировать отношение sqrt(L/C). В вашем случае индуктивность выглядит завышенной. Считать нужно под конкретные условия, но например, комбинация L=10мкГн и C=220мкФ будет давать выброс около 0.5В при изменении сопротивления нагрузки от 10 до 10000ом и входном напряжении 20В.

[Microwatt]

Чтобы снизить добротность колебательного контура, нужно минимизировать отношение sqrt(L/C).

Кхм...Вообще-то это влияет не на добротность, а на характеристическое сопротивление контура.

[halfdoom]

Кхм...Вообще-то это влияет не на добротность, а на характеристическое сопротивление контура.

Как это не влияет? ЕМНИП, Q=sqrt(L/C)/R, где R - оммические потери. А то, что sqrt(L/C) это волновое сопротивление, то это верно.

[Microwatt]

Как это не влияет? ЕМНИП, Q=sqrt(L/C)/R, где R - оммические потери. А то, что sqrt(L/C) это волновое сопротивление, то это верно.

Не, ну давайте честно. омические потери Вы вдогонку добавили. Первоначально было волновое сопротивление.
А омы на добротность влияют уже с учетом этой величины. Где-то и пару миллиом снизят добротность, а где-то и пару ом незаметны будут.
Понятно, что чем низковольтнее источник, тем и сопротивление фильтра должно быть ниже.

[halfdoom]

Не, ну давайте честно. омические потери Вы вдогонку добавили. Первоначально было волновое сопротивление.

Изначально было просто указано

отношение sqrt(L/C)

, полагая, что упоминание добротности воскресит в памяти ТС требуемую формулу.