Управление MOSFETами Опции

[SergCh]

Всегда считал, что для управления мосфитами 15 В оптимальная амплитуда управляющего напряжения. Но вот смотрю драйвера от разных производителей и основную массу драйверов составляют микросхемы с максимальным напряжением питания 15-18 Вольт, рекомендованноев районе 14В, на выходе и того меньше. Плюс к тому в некоторых драйверах имеется полезная функция защиты от пониженного напряжения питания. Но смущает порого защиты в 5 Вольт!
Может быть мне следует пересмотреть требования к управляющему напряжению и 9-11 Вольт вполне достаточно ?

[jartsev]

Задачу опишите. Для большинства приложений и для большинства MOSFETов достаточно 10 В. Есть задачи где нужно и 30 В.

[SergCh]

Задачу опишите. Для большинства приложений и для большинства MOSFETов достаточно 10 В. Есть задачи где нужно и 30 В.

задача управлять транзисторами IRFP22n50, максимальный ток через них 10 А минимальная длительность импульса 500nS.
Вот как он себя поведёт при 10 А и такой ширине импульса и напряжении на затворе 5.7В?
Да, забыл сказать, транзисторы стоят в первичной цепи прямоходового преобразователя по схеме косой мост.

Сообщение отредактировал SergCh - Jun 23 2011, 13:32

[Serg SP]

задача управлять транзисторами IRFP22n50, максимальный ток через них 10 А минимальная длительность импульса 500nS.
Вот как он себя поведёт при 10 А и такой ширине импульса и напряжении на затворе 5.7В?

Транзистор при напряжении ниже 7В не будет до конца включённым, посмотрите даташит на любой полевик. Плато Миллера проходит как раз на уровне 5.5 - 6В. Ключ будет находиться в линейном режиме, что в мощных переключательных схемах очень чревато высокими потерями проводимости, и скорее всего, рано или поздно выйдет из строя.

[SergCh]

Транзистор при напряжении ниже 7В не будет до конца включённым, посмотрите даташит на любой полевик. Плато Миллера проходит как раз на уровне 5.5 - 6В. Ключ будет находиться в линейном режиме, что в мощных переключательных схемах очень чревато высокими потерями проводимости, и скорее всего, рано или поздно выйдет из строя.

Это всё совершенно очевидно. А выйдет ли из строя транзистор при пятисотнаносекундных импульсах на затворе и прекращении каждого импульса по достижении тока через сток-исток в 10 А? (поцикловое ограничение тока). Частота импульсов 50кГц. Напряжение питания косого моста 311В. Напряжение на затворе 0-6В.
Почему я так подчёркиваю, что импульсы короткие, потому что при коэфф заполнения 0.3 например и таком низком напряжении управления конечно жить полевичку не долго. А в случае импульса в 500nS даже тепловое сопротивление перехода кристалл- корпус для таких длительностей не показано, крайняя цифра 10uS.
Да и фронты сигнала управления затворами частенько в различных источниках бывают того же порядка, нарастание допустим 250nS и спад 250nS и ничего, работает.

Сообщение отредактировал SergCh - Jun 23 2011, 17:06