Управление MOSFETами Опции

[SergCh]

Всегда считал, что для управления мосфитами 15 В оптимальная амплитуда управляющего напряжения. Но вот смотрю драйвера от разных производителей и основную массу драйверов составляют микросхемы с максимальным напряжением питания 15-18 Вольт, рекомендованноев районе 14В, на выходе и того меньше. Плюс к тому в некоторых драйверах имеется полезная функция защиты от пониженного напряжения питания. Но смущает порого защиты в 5 Вольт!
Может быть мне следует пересмотреть требования к управляющему напряжению и 9-11 Вольт вполне достаточно ?

[AlexeyW]

Оцените энергию в одном импульсе и величину разогрева кристалла от этой энергии. Данные для очень малых длительностей есть в даташитах на некоторые полевики, а массу кристалла Вашего полевика можно сравнить с другими, исходя из инварианта квадрат предельного напряжения/сопротивление канала.

[SergCh]

Оцените энергию в одном импульсе и величину разогрева кристалла от этой энергии. Данные для очень малых длительностей есть в даташитах на некоторые полевики, а массу кристалла Вашего полевика можно сравнить с другими, исходя из инварианта квадрат предельного напряжения/сопротивление канала.

Энергия будет примерно 20В*10А*500nS=100uJ, Как мне определить величину разогрева для irfp22n50 ? Полагаться на данные из даташитов на "похожие" транзисторы мне кажется не совсем правильно.

[AlexeyW]

Полагаться на данные из даташитов на "похожие" транзисторы мне кажется не совсем правильно.

Попробуйте нарыть даташит на какой-нибудь полевик, где соответствующие кривые все же есть (у меня сейчас нет под рукой, только на работе). Для этого полевика и для Вашего посчитайтевеличину (сопротивление канала/квадрат напряжения). Считайте, что масса кристалла примерно пропорциональна этой величине. Если останется запас в несколько раз - полевик устоит при единичном импульсе, и, если при этом средняя мощность меньше максимальной в несколько раз - все должно быть хорошо.

[SergCh]

Попробуйте нарыть даташит на какой-нибудь полевик, где соответствующие кривые все же есть (у меня сейчас нет под рукой, только на работе). Для этого полевика и для Вашего посчитайтевеличину (сопротивление канала/квадрат напряжения). Считайте, что масса кристалла примерно пропорциональна этой величине. Если останется запас в несколько раз - полевик устоит при единичном импульсе, и, если при этом средняя мощность меньше максимальной в несколько раз - все должно быть хорошо.

Чесно говоря никогда не встречал такой величины в даташитах. Но по сути это обратная величина от допустимой мощности при единичном импульсе, что отражается на графиках SOA. Мне же интересно выстоит ли транзистор при постоянно повторяющихся импульсах.
Дело осложняется тем что у импульса шириной в 500nS с мгновенной мощностью P=10A*20B=200Вт есть ещё и фронты, на которых мгновенная мощность может достигать фантастических и трудно прогнозируемых величин. Для простоты рассчётов я беру напряжение питания и максимальный ток через транзистор. Т.е. 300В*10А=3кВт. При длительности фронтов в 100nS и периоде в 20uS можно считать что коэфф заполнения примерно равен 0.01. По графику теплового сопротивления от Кзап и ширины импульса находим Rc-j= 0.01 .Тут тоже не совсем понятно, т.к. это сопротивление для ширины импульса в 10uS, и для меньших длительностей Rj-c не показывается.
Теперь задаваясь максимальной температурой перехода в 150гр и температурой корпуса транзистора в 100гр. имеем дельту температур в 50гр.
Т.е. максимальная импульсная мощность P=dT/Rj-c = 50/0.01=5кВт.
Вроде бы на этом и успокоиться. но смущает масса сделанных допущений. Да и транзисторы в готовых изделиях частенько горят ((