реклама на сайте
подробности

 
 
> Нелинейная модель транзистора
loreley
сообщение Sep 15 2011, 20:42
Сообщение #1


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 66
Регистрация: 4-06-08
Пользователь №: 38 066



Для проектирования усилителя мощности нужна нелинейная схема HEMT транзистора. Производитель дает только S-параметры на малом сигнале. Каким образом можно составить нелинейную модель транзистора, имея только S-параметры и эквивалентную схему на малом сигнале?
На сколько я понял, один из способов - измерить расширенные параметры рассеяния, т.е. X-параметры при помощи нелинейного VNA от Agilent , а затем уже например в ADS получить нелинейную модель. Но если такого прибора нет, то как быть в этом случае?
Спасибо.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
 
Start new topic
Ответов
nik_us
сообщение Sep 16 2011, 06:59
Сообщение #2


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 47
Регистрация: 26-07-08
Из: Moscow, RF
Пользователь №: 39 226



Цитата(loreley @ Sep 16 2011, 00:42) *
На сколько я понял, один из способов - измерить расширенные параметры рассеяния, т.е. X-параметры при помощи нелинейного VNA от Agilent , а затем уже например в ADS получить нелинейную модель. Но если такого прибора нет, то как быть в этом случае?
Спасибо.

Если интересен только основной тон, то можете попробовать обмерять транзистор на векторном анализаторе при различных уровнях мощности входного сигнала, а затем сохранить в виде многомероного массива данных (mdif-файла, например) для использования в САПР. Хотя это и не совсем корректно, некоторую зависимость параметров транзистора от мощности Вы получите.
Go to the top of the page
 
+Quote Post



Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 21st July 2025 - 10:43
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01339 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016