реклама на сайте
подробности

 
 
> Алюминий, омический контакт/pn-переход
BarsMonster
сообщение Sep 17 2011, 16:31
Сообщение #1


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 479
Регистрация: 8-03-10
Из: Россия, Москва
Пользователь №: 55 849



Возник вопрос тут:
Известно что алюминий является примесью типа p.

1) Как же работают алюминиевые контакты к кремнию типа n? Т.е. понятно что после отжига они работают, но я что-то перестал понимать почему.
И в целом, в случае контакта алюминия и кремния, когда получается омический контакт, когда pn-переход, и когда барьер Шотки?

2) Что ограничивает "снизу" глубину транзисторов? Можно ли легировать только верхние 5нм например и получать при этом работающие транзисторы (BJT/MOSFET?


--------------------
Потроха микросхем: zeptobars.ru
Go to the top of the page
 
+Quote Post
 
Start new topic
Ответов
zzzzzzzz
сообщение Sep 17 2011, 16:48
Сообщение #2


Профессионал
*****

Группа: Свой
Сообщений: 1 724
Регистрация: 1-05-05
Из: Нью Крыжопыль
Пользователь №: 4 641



Все контакты в кремниевой технологии - Шоттки. Просто с малым пробивным напряжением, зависящим от толщины окисла. А люминь еще и очень хорошо диффундирует в кремний и поликремний, - эффект как бы минимизации ОПЗ перехода.
Go to the top of the page
 
+Quote Post



Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 13th August 2025 - 23:50
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01799 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016