Защита прибора от переполюсовки., Диод или предохранитель? Опции

[gte]

Есть устройство с максимальным потреблением 1 А и напряжением питания от 12В до 24В - предполагается использовать LMZ14201.

Защиту от переполюсовки при подключении можно сделать включив диод в провод питания или самовостанавливающийся предохранитель и после него диод параллельно входу.
Место и тепловыделение ограниченно.
В первом случае имеем лишние потери по теплу на диоде.

Во втором случае не понятно как поведет себя предохранитель при переполюсовке на неизвестный источник питания.
При срабатывании может быть приличный ток, превышающий, хоть и кратковременно, максимальный ток самовосстанавливающегося предохранителя.
Может есть самовосстанавливающиеся предохранители предназначенные для такой защиты?

[НЕХ]

Обыкновенный n-канальный MOSFET в цепи "минуса" питания.
На затвор - положительное открывающее напряжение.
Когда перепутали питание - на стоке "+", транзистор закрыт.

[Myron]

Обыкновенный n-канальный MOSFET в цепи "минуса" питания.
На затвор - положительное открывающее напряжение.
Когда перепутали питание - на стоке "+", транзистор закрыт.

Или P-FET. Тип транзистора определяется током и напряжением. Максимально допустимое напряжение Затвор-Исток должно быть больше внешнего напряжения.

Эскизы прикрепленных изображений

 

[gte]

Или P-FET. Тип транзистора определяется током и напряжением. Максимально допустимое напряжение Затвор-Исток должно быть больше внешнего напряжения.

Такой вариант встречал для аккумуляторов и батареек, например
http://www.ti.com/lit/an/slva315/slva315.pdf
Но подставляя затвор на внешние провода питания в промышленных условиях придется заботится уже о его защите.
Опыт применения есть?

[Myron]

Такой вариант встречал для аккумуляторов и батареек, например
http://www.ti.com/lit/an/slva315/slva315.pdf
Но подставляя затвор на внешние провода питания в промышленных условиях придется заботится уже о его защите.
Опыт применения есть?

Если P-FET не имеет защиты затвора, то добавляю TVS в корпусе 0402 или 0603 на соответствующее максимальное напряжение на входе. P-FET можно включать и как показано в промерах от TI - тогда дополнительно есть защита источника от обратного напряжения от нагрузки, например, при работе с аккумулятором

Эскизы прикрепленных изображений

 

[xemul]

Если P-FET не имеет защиты затвора, то добавляю TVS в корпусе 0402 или 0603 на соответствующее максимальное напряжение на входе. P-FET можно включать и как показано в промерах от TI - тогда дополнительно есть защита источника от обратного напряжения от нагрузки, например, при работе с аккумулятором

Наверное, транзистор (вместе с обвесом в истоке) стОит развернуть наоборот, и TVS должен быть на < Ugs_max.