Подскажите сборку типа BAV99, но с меньшим Ir, при 80 градусах Опции

[gte]

Хочется обратный ток раза в 3-5 меньше чем у BAV99.
Ток достаточен 20-50 мА, напряжение от 20В, времена единицы нс.

Вероятно, подойдет MMBD1203, но для него не указаны графики обратных токов от температуры и он не сильно популярен.
Может еще что то порекомендуете?

Применение - защита входа ОУ (падение на токе 20 мА менее 1,4В)

[blackfin]

BAV199?

[gte]

BAV199?

Спасибо, но он достаточно медленный. Мне время рассасывания не сильно критично, но оно коррелирует с "временем включения".

[Пушкарев Михаил]

Мне время рассасывания не сильно критично, но оно коррелирует с "временем включения".

А вот это не совсем так. А еще хуже другое. Диффузия золота, платины для создания центров рекомбинации вместе с уменьшением заряда переключения увеличивает обратный ток. Лучший диод в смысле минимальных утечек - это переход полевого транзистора.

[gte]

А вот это не совсем так.

А как?

Лучший диод в смысле минимальных утечек - это переход полевого транзистора.

Конкретный полевой можете подсказать?

У Rohm есть похожее, но не очень популярное. DA227, fmn1t148 и др.

Спасибо. Ровно столько, сколько надо. Правда нашел только на Digi-key.

[Пушкарев Михаил]

Конкретный полевой можете подсказать?

Хотя б BFR30.

[gte]

Хотя б BFR30.

И он обеспечит время включения сравнимое с DA227?

а ещё лучше не кремниевый переход

По совокупности хуже.
В данном случае речь идет о быстрых диодах в корпусе типа sot23 и ценой 10-15 центов с документированными характеристиками и утечкой около 30 нА при 10В.

[Пушкарев Михаил]

В данном случае речь идет о быстрых диодах.

Дались Вам эти быстрые диоды. Технология их производства предусмативает создание в базе центров рекомбинации тем или иным способом: диффузией золота (платины), облучением нейтронами. А это увеличивает обратный ток. Множество микросхем имеют встроенные защитные диоды, и никакие они не быстрые. Если это принципиально, то ищите среди диодов Шоттки.