Синтезатор на м/сх Hittite с встроенным VCO Опции

[RN3QVG_1]

Добрый день всем!
Необходимо разработать синтезатор частот, а точнее два, на одной плате, работающие от одного опорника:
Диапазон: 1 - 800-850 МГц, 2 - 1400-1500 МГц
Шаг перестройки: 500 кГц
Время установления: 200-500 мкс из края в край
Фазовый шум: 100 dBc/Hz на 10 кГц, 140 dBc/Hz на 1 МГц

Опорник - 10 МГц (Морион, термокомпенсированный, какой точно не помню)

Обратил внимание на вроде бы подходящие по параметрам микросхемы Hittite с встроенным VCO HMC824LP6C для первого и HMC822LP6C для второго. В них есть рекомендация использовать опорную частоту повыше 10 МГц, и дополнительно в устройстве понадобилась частота 60 МГц, хочу применить HMC830LP6G, в ней получить из 10 МГц 60 МГц, усилить, раздать разветвителем JPS-3-1 (Minicircuits) на два синтезатора и на выход.
Использовал ли кто-нибудь эти компоненты, в чем могут быть проблемы?

Или проще и надежнее делать на отдельных PLL ADF4112 и VCO Z-comm V580ME15 для первого синтезатора и V602ME33 для второго?

[ledum]

Опорник - 10 МГц (Морион, термокомпенсированный, какой точно не помню)

Разве что только ГК175-1-ТК, большинство остальных по фазовым шумам может не пройти

Или проще и надежнее делать на отдельных PLL ADF4112 и VCO Z-comm V580ME15 для первого синтезатора и V602ME33 для второго?

Ну уж точно не на ADF4112, как минимум, что-то типа ADF4106. На втором порядке пассивного фильтра на пределе на первом поддиапазоне, и пролет на 5дБ на втором. Полоса где-то 30кГц, запас по фазе порядка 50 градусов, иначе по времени пролет. Что касается указанных чипов от Хиттайта - Вы не указали требования по спурам, должны будут проявиться в дробном режиме при опоре 10МГц.
Я думаю, главу 4.4 http://www.hittite.com/content/documents/o...ide_rf_vcos.pdf Вы смотрели.
Кстати, здесь уже прямо в даташите написано об ухудшении шумов на 5дБ на 10Мгц ФД по сравнению с более высокими частотами (50+).

Сообщение отредактировал ledum - Nov 23 2011, 14:45

[Proffessor]

Разве что только ГК175-1-ТК, большинство остальных по фазовым шумам может не пройти

Кстати, здесь уже прямо в даташите написано об ухудшении шумов на 5дБ на 10Мгц ФД по сравнению с более высокими частотами (50+).

Такое сравнение провомерно, если опоры 10 и 50 MHz имеют одинаковый фазовый шум. Но если мы берем опору 10MHz и умножаем ее на 5 и более, ее фазовый шум пропорционально увеличивается. Иначе это был бы идеальный способ борьбы с фазовым шумом.
Вот если бы формировать опору 60MHz отдельным прецизионным генератором, было бы счастье.

Сообщение отредактировал Proffessor - Nov 23 2011, 13:21

[ledum]

Такое сравнение провомерно, если опоры 10 и 50 MHz имеют одинаковый фазовый шум. Но если мы берем опору 10MHz и умножаем ее на 5 и более, ее фазовый шум пропорционально увеличивается.

Нет, в данном случае Хиттайты говорят о том, что существует возможность ухудшения шумов на 5 дБ больше, чем использовался всем известный пересчет СПМШ при умножении. Возможно, то, о чем говорил Dr.Drew в соседней ветке. С понижением частоты сравнения растет приведенный шумовой пол чипы, плюс также начинают говорить о его (figure of merit) частотной зависимости типа 1/f

Сообщение отредактировал ledum - Nov 23 2011, 13:48

Эскизы прикрепленных изображений

 

Прикрепленные изображения