Доброго времени суток. В связи с построением нелинейной модели транзистора возник вопрос в оценке параметров эквивалентной схемы самого кристалла транзистора. В зарубежных статьях для этих целей используют измерения S-параметров на пластине, но в моем случае это невозможно. Поэтому возник вопрос в целесообразности проведения электро-магнитного расчета кристалла транзистора. Кто-нибудь занимался чем-то подобным и стоит ли вообще за это браться?
|