|
есть схема импульсной накачки индуктивности, управляется верхним n-MOSFET ключом.
Напряжение накачки +24 В, напряжение логических схем +5 В. Отрицательных источников нет, общая земля.
Пока ключ открыт, падение на нем меняется от нуля до 30 мВ (24-23.97V), пропорционально току. Когда закрывается, прыгает до 25В, пока не устаканится за пару мс.
Как проще измерить это 30мВ падение в логическом диапазоне 0-5 В с защитой от 25В (на уровне тех же десятков мВ), не отрываясь от общей земли?
Сообщение отредактировал Hale - Apr 21 2017, 05:11
|
Как измерить падение напряжения на "верхнем" FET ключе?, Ликбез
Apr 21 2017, 05:06
