Вопрос по e-class усилителю, rfid 13.56 Опции

[Sagittarius]

Здравствуйте!

Подскажите пожалуйста по совмещению теории с практикой.
Смотрю как считать (Load Network Design Techniques for Class E RF and Microwavw Amplifiers)
http://www.rfcafe.com/references/articles/...e-Amplifier.pdf

задаем частоту, требуемую выходную мощность, напряжение питания.
получаем выходное сопротивление
R=0.577*V^2/Pout
по нему получаем индуктивность, которую дергает транзистор.
L=1.1525*R/(2*Pi*f)

на пример, для 13.56МГц, 4Вт, 12В
R=0.577*12*12/4=20.7 Ом
L=1.15*20.7/(2*3.14*13.56e6)=0.28 мкГн

в тоже время смотрим схему от Ti HF Power Amplifier (Reference Design Guide)
http://www.ti.com/litv/zip/sloc132
там на те же 4Вт, 13.56МГц, 12В но индуктивность 1мкГн.

подскажите пожалуйста в чем дело, откуда такая разница? Применимы ли вообще эти формулы для расчета?

Спасибо.