Защита перехода от пробоя ограничением тока, Корректно ли? Опции

[Змей Горыныч]

Прикладной вопрос общего плана, без привязки к конкретным компонентам.

Имеем p-n переход, выдерживающий лишь небольшое обратное напряжение - к примеру, 5В у светодиода или БЭ-перехода транзистора. В определённых ситуациях к этому переходу прикладывается обр. напряжение, превышающее допустимое. Наиболее корректной защитой перехода представляется шунтирование его другим переходом - см. РИСУНОК "В".

Допустима ли защита перехода от перенапряжения ограничением обратного тока, например, как на рис. "А", "Б"? В обоих случаях последовательно со светодиодом включается кремниевый диод с высоким пробивным напряжением и малым обратным током.

Теоретически обратный ток насыщения светодиода будет гораздо больше тока 1N4148, поэтому львиная доля напряжения источника будет падать именно на 1N4148. Для страховки светодиод можно зашунтировать высокоомным резистором.

Даже если высоковольтный диод попадётся плохенький, его обратный ток всё равно не сможет вывести СИД из строя. Даже если напряжение на СИД будет повышаться, барьерная ёмкость СИД слишком невелика, в отличие, скажем, от межэлектродных ёмкостей МОП-транзисторов и не способна выдать длительный импульс, который бы привёл к деградации или разрушению СИД: обратно включённый переход, приближаясь к области пробоя, будет плавно "спускать" избыточный заряд.

P.S. Чутьё подсказывает, что это - не особо хорошее решение. ) (Несмотря на то, что высоковольтные выпрямители набирают из нескольких низковольтных, применяя выравнивающие резисторы...)

Сообщение отредактировал Alexandr - Apr 12 2010, 14:58

Причина редактирования: не литературное выражение

Эскизы прикрепленных изображений