Параллельное соединенение кристаллов транзистора, Сложение мощности при параллельном соединении кристаллов МОП транз-в Опции

[Stefan1]

Здравствуйте! У меня вопрос: какие существуют ограничения при параллельном сложении мощности от нескольких мощных СВЧ полевых кристаллов транзистора? Есть ли здесь эффекты аналогичные поперечной неустойчивости, как в биполярном транзисторе? Схема приведена на рисунке.

Сообщение отредактировал Stefan1 - Dec 13 2011, 11:14

Прикрепленные файлы

 Doc2.doc ( 722.5 килобайт ) Кол-во скачиваний: 69