Полевой транзистор в качестве электрически управляемого резистора, Кто использовал? Опции

[GetSmart]

Если интересно использовать R1 в качестве регулируемого, то есть способ с плавающим ПТ, но там управление осуществляется через преобразователь "напряжение-ток", можно, в принципе и через простое токовое зеркало. Правда, я уже не помню, как там я включал линеаризирующую цепочку, которой нет в схеме-прототипе. Могу нарисовать, если что.

Этот концепт, реализованный в последней схеме не очень понятно какие имеет приемущества перед обычной схемой (кроме первого предложения на схеме из книги), в той, где фет включён в ООС. Ну и не очень ясно, куда подключён R3 на последней схеме. Я так понимаю, управление фета создаётся поддержкой постоянного управляющего напряжения относительно истока фета и это на плавающем фете. Но в обычной схеме всё то же самое, но только исток не плавающий. Все остальные же недостатки никак не нивелируются. Ну и по поводу подключения R3 там ещё особенность, но сначала хотелось бы узнать ответ о нём.

Попробуйте с симуляторе проверить работу схемы на предельном ослаблении (близком к полному отключению, допустим с сопр.фета = 30..100 от минимума) сигнала (обычного синуса).

Вот идея с оптроном LED-JFET (LED-MOSFET) очень интересная. Мне такое в голову не приходило, только с фоторезистором. Есть оптроны PVT322, с двумя последовательными мосфетами. Любопытно узнать результат их испытания вместе с H11F1.

Сообщение отредактировал GetSmart - Jun 16 2012, 19:35

[Tuvalu]

Этот концепт, реализованный в последней схеме не очень понятно какие имеет приемущества перед обычной схемой (кроме первого предложения на схеме из книги), в той, где фет включён в ООС.

Тут надо рассуждать с "другой стороны".
1) Имеем систему АРУ. Мы не знаем (ТС не написал), насколько должен быть ослаблен сигнал в процессе регулирования в установившемся режиме.
2) Исходим из того, что чем меньше напряжение на канале ПТ, тем меньше искажения. Значит, возможны, по крайней мере, 2 случая:
а) Ослабление в процессе регулирования большое, в таком случае, оптимальней схема автора из Сообщения #4 с включением ПТ после резистора на общий провод (землю). ПТ сильно открыт, на нём небольшое U, искажения небольшие.
б) Необходимое ослабление небольшое. Что-то мне подсказывает, что в генераторе автора так и есть, хотя, это сильно зависит от схемы. В этом случае, выгодней применить "горизонтальное" расположение ПТ - плавающее включение "из книги". ПТ почти полностью открыт, u_с-и небольшое, искажения тоже небольшие. Это ответ на Ваш первый вопрос. Т.е. абсолютного преимущества того или иного включения ПТ не существует, всё определяется требованиями АРУ базовой схемы. Про "обычную схему с фет-ом в ООС" не понял. Ну, т.е., такая схема есть, конечно, но автор спрашивал про (пассивный) аттенюатор.

Ну и не очень ясно, куда подключён R3 на последней схеме.

Это "второй" резистор аттенюатора. Подключать можно, например, в искусственную среднюю точку питания. Её потенциал должен быть и на истоке ПТ ("+" вх. ОУ). В этом случае через ПТ не протекает постоянный ток, что и требуется. Если между этим резистором и ПТ включить разделительный конденсатор, то этот R3 можно включить на общий. Т.е. тут надо исходить из того, что для нормальной работы плавающего n-JFET на его канале не может быть потенциала земли (минус), иначе его уже никак не закрыть - неоткуда взять управляющий сигнал "минусее" минуса. В схеме же из Сообщения #4, канал ПТ может находится под потенциалом земли, а регулирование происходит "в плюс" от земли (p-JFET).

Попробуйте с симуляторе проверить работу схемы на предельном ослаблении (близком к полному отключению, допустим с сопр.фета = 30..100 от минимума) сигнала (обычного синуса).

Я уже писал об этом - плавающее включение хорошо при небольших К_ослабления, т.е. когда ПТ почти полностью открыт. Повторюсь, всё определяется требованиями по К_ослаблению системы АРУ. Говоря Вашими словами, попробуйте с симуляторе проверить работу "обычной" схемы (с ПТ после резистора на землю) при небольшом ослаблении, тоже близком к полному отключению ПТ. Будет то же самое. Иначе говоря, для обеспечения малых искажений на канале ПТ не должно быть большого напряжения сигнала, т.е. по-любому, ПТ выгодней держать как можно более открытым, что в первой, что во второй схеме.

Сообщение отредактировал Tuvalu - Jun 16 2012, 22:25

[GetSmart]

..для обеспечения малых искажений на канале ПТ не должно быть большого напряжения сигнала, т.е. по-любому, ПТ выгодней держать как можно более открытым, что в первой, что во второй схеме.

Это понятно, что сигнал для jfet-ов ограничен грубо на 0.3 вольтах. Найти бы красивую схему на jfet-е, которая будет качественно работает вплоть до полного закрытия фета, точнее около, т.к. закрыть его намертво несложно, достаточно подать на затвор напряжение отсечки на вольт выше относительно истока, если при этом сток-исток не будет плавать выше +-0.5 вольт. Вобщем с запасом.

Сообщение отредактировал GetSmart - Jun 16 2012, 23:26

[Tuvalu]

Найти бы красивую схему на jfet-е, которая будет качественно работает вплоть до полного закрытия фета, точнее около, т.к. закрыть его намертво несложно, достаточно подать на затвор напряжение отсечки на вольт выше относительно истока, если при этом сток-исток не будет плавать выше +-0.5 вольт. Вобщем с запасом.

Тут надо решать, что важнее - малые искажения или малый уровень шумов (широкий ДД). Если первое, то, как я уже предлагал, можно ослабить сигнал перед аттенюатором, затем усилить в такое же кол-во раз. Этот метод широко применяется в профессиональной звуковой аппаратуре в явном или неявном виде. Кстати, не сильно-то и пострадает ДД при уменьшении рабочего уровня до 10...50мВ. Это уровень, кстати, намного больший, чем, скажем, микрофонный или головок для винила/магнитофонов. Ничего, народ поёт в микрофоны и не сильно жалуется на шумы. А так, чтобы и без ослабления, и с малыми искажениями, и с максимальным ДД, и во всём диапазоне регулирования - такого не бывает в схемах с ПТ. В этом случае надо применять VCA, перемножители, ... и что там ещё.

[alexvu]

А не покатит светодиод + фоторезистор? Достать, думаю, не проблема.
Ну и что, что термостабильность плохая. Вы думаете, она у кустарно прикрученного FET лучше будет?
Зато диапазон большой и т.д. (может, и шум маленький окажется).
Разве что ток портебления Вас не устроит (аж до 1-2 мА в случае сверхяркого СД).

Для термостабилизации можно поставить второй фоторезистор и по ОС с него регулировать ток СД, но это уже усложнение схемы.
Так и до нормального управляемого потенциометра недолго дойти, но это не наш метод