реклама на сайте
подробности

 
 
> Усилитель сабвуфера на MOSFETах в ключевом режиме, стоит ли пытаться сделать или сразу забить?
JBM
сообщение Sep 7 2006, 21:29
Сообщение #1


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 69
Регистрация: 28-10-05
Из: Харьков, ул. Героев труда.
Пользователь №: 10 213



Только не пинайте ногами!

Идея такова: на четырёх MOSFETах собирается H-bridge, в качестве нагрузки ставится низкочастотный динамик (сабвуфер). С помощью ШИМа с частотой значительно более высокой, чем верхняя частота динамика (в данном случае думаю килогерц 60-100) и разрешением 10 бит формируем на динамике переменный ток, аналогичный входному сигналу.

Надеюсь за счёт индуктивности динамика и за счёт его механических свойств получить более-менее качественный звук.

Получится ли? Стоит ли развивать эту концепцию, или сразу забить на это?

Основной бенефит, который хочется получить - отсутствие нагрева за счёт ключевого режима.

Забыл сказать: диапазон входного сигнала 16-80 Гц

Сообщение отредактировал JBM - Sep 7 2006, 21:34
Go to the top of the page
 
+Quote Post
 
Start new topic
Ответов (1 - 3)
TheMad
сообщение Sep 8 2006, 08:54
Сообщение #2


Знающий
****

Группа: Свой
Сообщений: 660
Регистрация: 12-07-06
Пользователь №: 18 770



Я думаю, что без выходного LC-фильтра ничего хорошего не получится...гонять по звуковой катушке постоянно прямоугольник частотой 60-100 кгц нехорошо. Это может привести к нагреву магнита, как мне кажется, причем может быть и сильному.
Надо делать с фильтром, обратную связь заводить с самого динамика. Вроде как уже давно профессиональные концертные мощные УМ так делаются, так как качества особого там не нужно. Возможно, можно где-нить на просторах интернета найти схему.
Или залезть на www.monolithicpower.com и посмотреть что есть у них такое, к чему будет просто подключить еще полевики помощнее.


--------------------
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Stanislav
сообщение Sep 8 2006, 10:02
Сообщение #3


Гуру
******

Группа: Свой
Сообщений: 4 363
Регистрация: 13-05-05
Из: Москва
Пользователь №: 4 987



Цитата(JBM @ Sep 8 2006, 01:29) *
Только не пинайте ногами!

Идея такова: на четырёх MOSFETах собирается H-bridge, в качестве нагрузки ставится низкочастотный динамик (сабвуфер). С помощью ШИМа с частотой значительно более высокой, чем верхняя частота динамика (в данном случае думаю килогерц 60-100) и разрешением 10 бит формируем на динамике переменный ток, аналогичный входному сигналу.

Надеюсь за счёт индуктивности динамика и за счёт его механических свойств получить более-менее качественный звук.

Получится ли? Стоит ли развивать эту концепцию, или сразу забить на это?

Основной бенефит, который хочется получить - отсутствие нагрева за счёт ключевого режима.

Забыл сказать: диапазон входного сигнала 16-80 Гц
Простите, но, как мне кажется, всё самому крючить "с нуля" не стОит. Сначала не мешает ознакомиться с тем, что уже сделано до Вас. Начните, например, вот с этого:
http://www.nxp.com/pip/TDA8924_1.html
LC фильтр в усилителе класса D нужен обязательно, об этом на форуме уже был разговор.


--------------------
Самонадеянность слепа. Сомнения - спутник разума. (с)
Go to the top of the page
 
+Quote Post
INT1
сообщение Sep 8 2006, 12:02
Сообщение #4


deleted
****

Группа: Свой
Сообщений: 555
Регистрация: 28-08-05
Пользователь №: 8 024



http://d-amp.narod.ru/index.html -можно и самомУ
http://sound.westhost.com/articles/pwm.htm - тоже, общие принципы
http://www.irf.com/product-info/directfet/classdaudio.html - посмотреть апноты AN 1070 / 1071
http://www.apexmicrotech.ru/support/pages/app_notes.html посмотреть апноты an 30 , 32(фильтрация)
http://www.avtozvuk.com/az/Az_0401/p12-17-1.htm не знаю, чем там закончилось с классом Т , вроде бы есть готовые IC
Go to the top of the page
 
+Quote Post

Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 19th July 2025 - 12:30
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01384 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016