|
|
  |
В продолжение темы про Transimpedance, поиск схемного решения |
|
|
|
Oct 26 2006, 23:43
|
Частый гость
 
Группа: Новичок
Сообщений: 129
Регистрация: 4-08-06
Пользователь №: 19 327

|
Цитата(Tanya @ Oct 25 2006, 11:51)  Цитата(DS @ Oct 24 2006, 20:40)  Так Herzу надо > 3000 на 10 Кгц. А у opa65X - усиление в районе 1000 - 1500, но до очень высоких частот. Для них не подходит формула частота на усиление - смотрите datasheet.
Да, не очень внимательно читала, думалось, что много выше.(и усилиение и потребная частота)........... А вот странный вопрос возник. Ну пусть усиление 1000. На выходе трансимпедансного каскада пусть будет 1 вольт. Входной ток маленький, частоты низкие, тогда сдвиг на входе всего 1 милливольт будет. Повлияет ли этот милливольт на фотодиод и его ток? Кажется, что нет. Или только кажется? Кажется. Фотодиод уже приоткроется и слегка зашунтирует себя как источник тока. Есть, правда, чисто дилетантская мысль - а нельзя ли "закоротить" постоянную составляющую дросселем? Тогда можно даже попытатся организовать совместно с ёмкостью диода входной контур...
|
|
|
|
|
Nov 2 2006, 09:07
|

Гуру
     
Группа: Модераторы
Сообщений: 10 983
Регистрация: 23-11-05
Пользователь №: 11 287

|
Цитата(Herz @ May 24 2006, 20:10)  Цитата(DS_ @ May 24 2006, 19:06)  Забыл отметить - я считал для случая наличия на фотодиоде отрицательного смещения. Если Вы его пользуете без смещения - вполне может эффективная емкость фотодиода вырасти во много раз, и посадить быстродействие. При однополярном питании можно посадить + операционника на смещение и тем самым создать отрицательное смещение на диоде.
Да, в самом деле, видимо этим и объяснялось снижение быстродействия при включении ФД в схему ТИ-усилителя без смещения. Ведь, по сути, отличие этого режима от "обычного", обратносмещённого - только в поддержании нулевого смещения. Для линейности это - хорошо, но не для быстродествия. Цитата(DS_ @ May 24 2006, 20:20)  Как раз в режиме без смещения нелинейность гораздо больше. Поле в переходе сопоставимо с полями, создаваемыми носителями заряда, и наблюдается куча чудес, связанных с этим. При подаче смещения в зоне перехода появляется приличное электрическое поле и носители переходят из режима диффузии в режим дрейфа. Вот, нашёл, кстати, подтверждение своим словам: Цитата Photodiodes may either be operated with zero bias (photovoltaic mode, left) or reverse bias (photoconductive mode, right) as shown in Figure 5.4. The most precise linear operation is obtained in the photovoltaic mode, while higher switching speeds are realizable when the diode is operated in the photoconductive mode at the expense of linearity. В упоминавшейся книжке "Микрофотоэлектроника" я встретил величину ∆Ud, входящую в формулы расчёта ТИ-усилителей и характеризующую [i]точность поддержания смещения" на фотодиоде. Не сразу придал значение, но для оценки линейности схемы хорошо бы понять зависимость линейности от смещения и его дрейфа. Пока нигде не встретил таких данных.
Сообщение отредактировал Herz - Nov 2 2006, 09:08
|
|
|
|
|
Nov 2 2006, 09:38
|
Гуру
     
Группа: СуперМодераторы
Сообщений: 3 096
Регистрация: 16-01-06
Из: Москва
Пользователь №: 13 250

|
По физике процесса диод без смещения и диод со смещением по линейности не отличаются (если считать смещение строго постоянным). В фотовольтаическом режиме будет еще некоторый множитель меньше 1 в рассчете квантового выхода, связанный с рекомбинацией в переходе. Кстати, рассуждения про фотовольтаический режим нельзя, я думаю, просто переносить PIN фотодиод. Но в любом случае на линейность сигнала это влиять не должно. В книжке забыли добавить в рассчет шумов еще влияние шумов ОУ. При 0 смещении емкость перехода возрастает раз этак в 5, соотвественно, коэффициент усиления по шумам ОУ ТИ каскада вырастет в эти же 5 раз, и может забить выигрыш от отсутствия дробового шума темнового тока. Смещение влияет при значении больше некоторого порога очень мало, я думаю можно для реальной схемы не учитывать. Есть тонкости для diode arrayев, где заряд накапливается прямо в фотодиоде, и из-за изменения напряжения смещения меняется емкость, что приводит к сильной нелинейности напряжение/заряд. Но это не наш случай.
--------------------
Не бойтесь тюрьмы, не бойтесь сумы, не бойтесь мора и глада, а бойтесь единственно только того, кто скажет - "Я знаю как надо". А. Галич.
|
|
|
|
|
Nov 5 2006, 07:50
|
Гуру
     
Группа: СуперМодераторы
Сообщений: 3 096
Регистрация: 16-01-06
Из: Москва
Пользователь №: 13 250

|
Причем похоже, что 8033 - это вариант 825, над которым поработали маркетологи. Параметры по частотным характеристикам и усилению почти идентичны. Те же 25 Мгц единицного усиления, что соотвествует 2000 - 2500 на Вашей частоте в 10 Кгц. Шумы тоже одинаковы. Единственно, что меньше - входная емкость, но в данном случае разницы нет 6 pf или 3.
--------------------
Не бойтесь тюрьмы, не бойтесь сумы, не бойтесь мора и глада, а бойтесь единственно только того, кто скажет - "Я знаю как надо". А. Галич.
|
|
|
|
|
Nov 8 2006, 21:31
|
Гуру
     
Группа: СуперМодераторы
Сообщений: 3 096
Регистрация: 16-01-06
Из: Москва
Пользователь №: 13 250

|
Идея хорошая. Только при токах, которые у них на схеме, bf862 шумит поболее обычного ВЧ MOSFETа, у которого емкость перехода куда как меньше и достать его легче - я пробовал, тоже для снижения шумов, но в немного другой схеме. Так что не обязательно доставать bf862, он к тому же капризный, очень легко посадить его параметры при монтаже. Но идея компенсации емкости абсолютно верна. Но Вы сначала с карандашиком убедитесь, что у Вас вносит вклад в шумы - схема актуальна для InGaAs диодов, у которых емкость переходов может достигать 1000 pf, для кремния с его 20 - 50 pf надо прикидывать.
--------------------
Не бойтесь тюрьмы, не бойтесь сумы, не бойтесь мора и глада, а бойтесь единственно только того, кто скажет - "Я знаю как надо". А. Галич.
|
|
|
|
|
Nov 9 2006, 09:58
|

Гуру
     
Группа: Модераторы
Сообщений: 10 983
Регистрация: 23-11-05
Пользователь №: 11 287

|
Из описания FDS-100 (Datasheet-ом это язык не поворачивается назвать) ёмкость его должна составлять порядка 100 пф (правда, для смещения -20В). При номинале резистора в ОС 15 МОм и частоте 20 кГц КУ для шума составит ок 200. Что даст уровень на выходе порядка 2 мкВ/√Гц, ещё 0,5 мкв добавит сам резистор. Можно, наверное, мириться. Но "физика процесса" мне понятна не совсем, хотелось бы разобраться. Как, например, обеспечивается (отрицательное!) смещение на фотодиоде порядка -0,5В в схеме на рис.5а, ведь разброс параметров таких полевиков довольно велик? Как Вам удалось прикинуть его рабочий ток и, соответственно, шум? Как Вы использовали MOSFET и какой?
|
|
|
|
|
Nov 10 2006, 17:02
|
Гуру
     
Группа: СуперМодераторы
Сообщений: 3 096
Регистрация: 16-01-06
Из: Москва
Пользователь №: 13 250

|
Надо, разумеется, использовать схему с конденсатором - Вам же постоянная составляющая не нужна и шум на ней не важен. MOSFET - радиочастотный, какой под рукой будет (bf996 и т.п.). У них обычно при токах порядка нескольких ма шум будет определяться в основном резистором истока, раз здесь рекомендуют его ставить в несколько ком. Я думаю, шумы транзистор+резистор будут порядка входного шума операционника. Что-то диод у Вас сильно емкостной - у меня с 3 мм площадкой порядка 20 пф, а то и меньше. Соответственно, не надо эту емкость компенсировать.
--------------------
Не бойтесь тюрьмы, не бойтесь сумы, не бойтесь мора и глада, а бойтесь единственно только того, кто скажет - "Я знаю как надо". А. Галич.
|
|
|
|
|
  |
3 чел. читают эту тему (гостей: 3, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0
|
|
|