Суть ИОН на напряжении запрещенной зоны в том, что в качестве опорного берется напряжения Uбэ транзистора. Сам источник опоры основан на двух самых нижних транзисторах и двух резисторах в их эмиттерах, задатчике их режима в виде токового зеркала, а также ОС через операционник, собранный на остальных элементах, подающий смещение на их базы. Через верхний резистор (из тех, что в эмиттерах) течет ток, обусловленный разностью напряжений Uбэ обоих транзисторов, которые либо работают на разных токах коллектора, если питающее их токовое зеркало построено на транзисторах разной площади, либо работают на одном токе, но сами имеют разную площадь (это обязательное условие). Этот ток в результате имеет положительный температурный коэффициент. Ну а собственно Uбэ имеет отрицательный ТКН. Суммируясь, (собственно Uбэ + то, что на нижнем резисторе) они дают высокостабильное напряжение, не зависящее от температуры, условием этого будет оптимальное соотношение токов (или площадей) плеч с нижним резистором, и верхнего резистора таким, чтобы на базы нижним транзисторам по цепи ОС поступало 1.205 вольт ( Wg / e0 = 1.205 В, где Wg ширина запрещенной зоны кремния ), и при этом напряжения на их коллекторах были равны. Остальная обвязка вокруг этого "ядра" из токового зеркала и питаемого им опорника есть банальный операционный усилитель, работающий только на отдачу тока на нагрузку в виде делителя, который и определяет реальное выходное напряжение опорника, устанавливая на тех коллекторах равные потенциалы управляя напряжением на базах опорных транзюков. Опер состоит из дифусилителя, построенного на двух транзисторах, базы которых подключены к "ядру опорника", нагрузки этого дифусилителя в виде токового зеркала (два верхних транзистора), повторитель на полевике можно опустить, это средство отрубания всей схемы в шатдаун, и выходного каскада на верхнем правом транзисторе, обеспечивающему основной КУ по напряжению.
ЗЫ. Схемка упрощена, еще должна быть схема старта, а то при нуле на выходе оно тоже в стабильном состоянии. И еще корректирующий емкостей явно не хватает.
ЗЗЫ. Сложно объяснять, когда не проставлены VT1...VTn и R1...Rn
ЗЗЫ.
Вот, вдогонку. Суть схемы такова, как во вложении. За исключением того, что вместо верхних R/n1 и R либо площади транзюков различаются в n1 раз, что скорее всего, либо токовое зеркало, их питающее, имеет коэффициент передачи n1.
Эскизы прикрепленных изображений
Принципиальная Схема Микросхемы Ref19xx, что значит "ИОН на напряжении запрещенной зоны" ?
May 25 2009, 14:50
