Трассировка группы микросхем SDRAM Опции

[koluna]

Здравствуйте!

Стоит задача спроектировать ПП.
ПП содержит МП AT91SAM9XE и две SDRAM MT48LC16M16A2.
Плата четырёхслойная (внутренние слои - питание и общая цепь).
Желательна работа с памятью на максимальной частоте.
После прочтения TN-46-14 и просмотра конференции остались некоторые вопросы, в решении которых прошу мне помочь разобраться

1. Termination.
Если на шинах не менее 4 микросхем памяти и длина шин менее 2 дюймов, то Микрон рекомендует использовать последовательное завершение (Rs = 51...70 Ом).
А если менее 4, то завершение вообще не требуется?
Как я понял из текста далее, длина шин более 2 дюймов вообще не рекомендуется?
Для двунаправленных линий терминаторы ставятся в середине шины, для однонаправленных линий - со стороны МП?
А если МП и память находятся весьма близко, допустим, в радиусе 3 см, то как располагать терминаторы?

2. Линии шины данных желательно располагать на отдельном слое (отдельно от линий шины адреса и управляющей шины)?

3. Допуски на длину.
Линии данных в пределах одного байта +/- 50 мил.
Линии данных разных байтов +/- 500 мил.
Разница между линиями данных и синхросигнала +/- 500 мил.
Разница между линиями адреса, управляющими линиями и линиями синхросигнала +/- 400 мил.
Если несколько линий синхросигнала (несколько микросхем памяти), разница их длин +/- 20 мил.

Чем обусловлен такой разброс (50 и 500 мил) между двумя первыми подпунктами?

4. Правильно ли я понял, что помимо развязывающих керамических, Микрон рекомендует ещё и по одному развязывающему танталовому электролиту на каждую микросхему памяти и располагать его где-то там в углу микросхемы на плате?
Если да, то как его трассировать? Просто поставить рядом с микросхемой и с помощью виасов подключить к слоям питания и общей цепи?

5. Какую топологию выбрать для трассировки памяти? Звезда или шина?

Благодарю заранее.