|
|
  |
Генерация временной задержки, (задержка включения MOSFETа) |
|
|
|
Jun 2 2011, 10:05
|
Знающий
   
Группа: Свой
Сообщений: 714
Регистрация: 31-08-09
Из: Харьков
Пользователь №: 52 114

|
For Vokchap: К вопросу о работе обратного диода. Берем первый попавшийся высоковольтный ключ - например, IXFX 38N80Q2. ID25 = 38 A, RDS(on) = 220 mΩ, VSD (IF = IS, VGS = 0 V) = 1.5 V. Что будет, если обратный ток канала превысит 6.8 А? Цитата Бороть её там, где она начинается - в обратном диоде - можно ??? Не только можно, но и нужно - если нет запасного ведра для транзисторов. Ответ один - держать dU/dt, dI/dt в допустимых пределах (затвором или внешними цепями, а лучше - всем вместе).
|
|
|
|
|
Jun 2 2011, 10:38
|

Профессионал
    
Группа: Админы
Сообщений: 1 884
Регистрация: 15-07-06
Из: Новосибирск, Россия
Пользователь №: 18 835

|
Integrator1983, зачем первый попавшийся, ещё и десятилетней давности. Если говорить о 800 В, то 140 мОм уже не рекорд при том же Vsd. IXFB 60N80P 500 - вольтовые с каналом менее 100 мОм уже нормальное явление. Ну и 100 вольтовые с каналом единицы мОм - тоже "высоковольтные". Цитата(Integrator1983 @ Jun 2 2011, 17:05)  Ответ один - держать dU/dt, dI/dt в допустимых пределах. В этом нового уже ничего нет. Это рождает только ограничения на частоту, КПД и габариты.
|
|
|
|
|
Jun 2 2011, 10:51
|
Знающий
   
Группа: Свой
Сообщений: 714
Регистрация: 31-08-09
Из: Харьков
Пользователь №: 52 114

|
Вопрос не в том, сколько лет транзистору. Возьмем APT8014L2LL (2003): 140 мОм, 1,3 В на диоде. При каком обратном токе канала заработает диод? То же самое и для IXFB 60N80P (2006). А других ключей на 800 В 140 mOhm я не видел. Кроме того, некоторых может смущать их цена. А если почитать DataSheet еще дальше и сравнить накапливаемые в диоде заряды у Ixys и APT - то и о 10 годах как-то забываешь. По-моему, для 100 В ключей еще можно выбрать режим, в котором обратный диод никогда работать не будет. А вольт на 400 и выше - увы. Цитата Это рождает только ограничения на частоту, КПД и габариты. КПД и, косвенно, габариты - согласен. А частота тут причем?
|
|
|
|
|
Jun 2 2011, 11:08
|

Профессионал
    
Группа: Админы
Сообщений: 1 884
Регистрация: 15-07-06
Из: Новосибирск, Россия
Пользователь №: 18 835

|
Цитата(Integrator1983 @ Jun 2 2011, 17:51)  А вольт на 400 и выше - увы. Так-уж и увы? 10А обратного тока мимо диода на 800-вольтовом - сущий пустяк? Пусть не на 100% канал зашунтирует паразитный диод, накопленный в диоде заряд будет пропорционален его прямому току. Соответственно это уже другая картина. Есть некая ниша. Цитата(Integrator1983 @ Jun 2 2011, 17:51)  КПД и, косвенно, габариты - согласен. А частота тут причем? Интеграл под кривыми больше при крутых фронтах  . Частота и КПД понятия неразделимые. ps Я не имею ничего против идеи шунтировать диод каналом (или сформированным TMBS диодом) с напряжением на затворе ниже порогового, как предлагает автор в соседней теме. Раз это работает, значит будет определенная ниша. Всегда приходится искать компромисс между что хочется и что можно.
|
|
|
|
|
Jun 2 2011, 11:51
|
Знающий
   
Группа: Свой
Сообщений: 714
Регистрация: 31-08-09
Из: Харьков
Пользователь №: 52 114

|
Цитата Так-уж и увы? Под УВЫ подразумевается полное исключение протекания тока через диод. Цитата 10А обратного тока мимо диода на 800-вольтовом - сущий пустяк? Конечно же не пустяк. И КПД повыше, и заряд поменьше. Но накопление заряда в диоде будет, и обходится с ключем придется аккуратно (к чему и призывает уважаемый НЕХ). Цитата Частота и КПД понятия неразделимые. Вот тут не согласен. Если коммутировать один и тот же ток/напряжение с частотой 50 кГц со скоростью Х и с частотой 100 кГц со скоростью 2*Х? Как по мне, динамика будет та же.
|
|
|
|
|
Jun 2 2011, 12:06
|

Профессионал
    
Группа: Админы
Сообщений: 1 884
Регистрация: 15-07-06
Из: Новосибирск, Россия
Пользователь №: 18 835

|
Цитата(Integrator1983 @ Jun 2 2011, 18:51)  Под УВЫ подразумевается полное исключение протекания тока через диод.  А если не полное, стало быть фтопку? Цитата(Integrator1983 @ Jun 2 2011, 18:51)  Но накопление заряда в диоде будет, и обходится с ключем придется аккуратно (к чему и призывает уважаемый НЕХ). Будет или не будет, как много будет и при каких условиях я думаю уже понятно. С ключами нужно всегда аккуратно, возражений нет. Цитата(Integrator1983 @ Jun 2 2011, 18:51)  Вот тут не согласен. Если коммутировать один и тот же ток/напряжение с частотой 50 кГц со скоростью Х и с частотой 100 кГц со скоростью 2*Х? Как по мне, динамика будет та же. Ну "динамика" будет в два раза выше, КПД условно такой-же (если всё линейно). Вы сами опровергли своё возражение  .
|
|
|
|
|
Jun 2 2011, 12:28
|
Знающий
   
Группа: Свой
Сообщений: 714
Регистрация: 31-08-09
Из: Харьков
Пользователь №: 52 114

|
Цитата А если не полное, стало быть фтопку? Если не полное - возникают вопросы, рассматриваемые в этой теме - то есть, вроде как режим ключа нормальный (на первый взгляд), до предельных значений токов/напряжений далеко, а ключ горит. Цитата Ну "динамика" будет в два раза выше, КПД условно такой-же (если всё линейно). Не понял, как это??? Потери на переключение в 1 случае в 2 раза выше, но происходят переключения в 2 раза реже. То есть, динамические потери в ключе что в 1, что во 2 случае одинаковые.
|
|
|
|
|
Jun 2 2011, 12:43
|
Знающий
   
Группа: Свой
Сообщений: 714
Регистрация: 31-08-09
Из: Харьков
Пользователь №: 52 114

|
Цитата Частота - принципиальна ! и дело не в динамике переключения ! А режим КЗ? Длительность интервалов передачи энергии крайне мала, все остальное - свободная циркуляция, ток в диодах приличный. Плюс нагрев кристалла этим током. Если долбить ключ высокими скоростями - на любой частоте улетит (ну, разве что до единиц кГц опускаться). Цитата при большом их количестве они сами ограничат динамику при рассасывании. Как по мне, лучше не надеяться на заряд диода, а поставить внешнюю емкость, ограничив dU/dt.
|
|
|
|
|
Jun 2 2011, 12:46
|

Профессионал
    
Группа: Админы
Сообщений: 1 884
Регистрация: 15-07-06
Из: Новосибирск, Россия
Пользователь №: 18 835

|
Цитата(Integrator1983 @ Jun 2 2011, 19:28)  То есть, динамические потери в ключе что в 1, что во 2 случае одинаковые. Вот и я говорю, что КПД преобразователя не изменится. Т.е. обострение фронтов в 2 раза (которое возможно при решении вопроса лавинного пробоя), позволит условно в два раза задрать частоту при сохранении прежнего КПД преобразователя. Цитата(НЕХ @ Jun 2 2011, 19:33)  Частота - принципиальна ! и дело не в динамике переключения ! Об этом и речь - решив проблему накопления заряда в диоде (или хотя-бы его величины) - задираем частоту (обостряем фронты) без ущерба для здоровья (ключа).
|
|
|
|
|
Jun 3 2011, 07:59
|

Профессионал
    
Группа: Участник
Сообщений: 1 220
Регистрация: 10-10-06
Из: Петербург
Пользователь №: 21 169

|
неосновные носители - дырки - начнут появляться как только напряжение на стоке упадет до -0,5 Вольта(условно) и ниже. поэтому 5 Ампер Х 0,1 Ома - предел безмятежности для условного транзистора. есть надежда, что при бОльшем токе при условии сохранения полного открывающего напряжения на затворе, вред дырками нанесён не будет после закрытия транзистора. Применение снабберов приводит к необходимости увеличивать реактивный ток, иначе самокоммутация под вопросом. В PFC до киловатта CoolMos прекрасно трудится без их помощи. Жаль, что они жадно впитывают заряд при обратном течении тока через исток-сток. Схемка драйвера обошлась тремя дискретными транзисторами, полумосту теперь фиксированный dead-time не нужен. Недалек тот час, когда все эти потуги канут в лету http://catalog.compel.ru/blog/2011/03/18/c...remniya/?q=creeпопался транзистор симпатичный, MeanWell ставит в БП, Toshiba делает, вроде по лицензии Infineon.
Сообщение отредактировал НЕХ - Jun 3 2011, 08:07
--------------------
Когда едешь на поезде - переезд всегда закрыт...
|
|
|
|
|
  |
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0
|
|
|