реклама на сайте
подробности

 
 
9 страниц V  « < 3 4 5 6 7 > »   
Reply to this topicStart new topic
> Генерация временной задержки, (задержка включения MOSFETа)
НЕХ
сообщение Jun 2 2011, 09:35
Сообщение #61


Профессионал
*****

Группа: Участник
Сообщений: 1 220
Регистрация: 10-10-06
Из: Петербург
Пользователь №: 21 169



в этой теме обсуждались проблемы высоковольтных полевых транзисторов.

проблема начинаетя не при выключении транзистора. при выключении она себя лишь проявляет.


--------------------
Когда едешь на поезде - переезд всегда закрыт...
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Vokchap
сообщение Jun 2 2011, 09:46
Сообщение #62


Профессионал
*****

Группа: Админы
Сообщений: 1 884
Регистрация: 15-07-06
Из: Новосибирск, Россия
Пользователь №: 18 835



Высоковольтные полевые в третьем квадранте вообще никак не работают?

Понятно, что при выключении проблема уже себя проявляет. Бороть её там, где она начинается - в обратном диоде - можно ???
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Integrator1983
сообщение Jun 2 2011, 10:05
Сообщение #63


Знающий
****

Группа: Свой
Сообщений: 714
Регистрация: 31-08-09
Из: Харьков
Пользователь №: 52 114



For Vokchap:

К вопросу о работе обратного диода.

Берем первый попавшийся высоковольтный ключ - например, IXFX 38N80Q2.

ID25 = 38 A, RDS(on) = 220 mΩ, VSD (IF = IS, VGS = 0 V) = 1.5 V.

Что будет, если обратный ток канала превысит 6.8 А?

Цитата
Бороть её там, где она начинается - в обратном диоде - можно ???

Не только можно, но и нужно - если нет запасного ведра для транзисторов. Ответ один - держать dU/dt, dI/dt в допустимых пределах (затвором или внешними цепями, а лучше - всем вместе).
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Vokchap
сообщение Jun 2 2011, 10:38
Сообщение #64


Профессионал
*****

Группа: Админы
Сообщений: 1 884
Регистрация: 15-07-06
Из: Новосибирск, Россия
Пользователь №: 18 835



Integrator1983,
зачем первый попавшийся, ещё и десятилетней давности. Если говорить о 800 В, то 140 мОм уже не рекорд при том же Vsd. IXFB 60N80P
500 - вольтовые с каналом менее 100 мОм уже нормальное явление. Ну и 100 вольтовые с каналом единицы мОм - тоже "высоковольтные".

Цитата(Integrator1983 @ Jun 2 2011, 17:05) *
Ответ один - держать dU/dt, dI/dt в допустимых пределах.


В этом нового уже ничего нет. Это рождает только ограничения на частоту, КПД и габариты.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Integrator1983
сообщение Jun 2 2011, 10:51
Сообщение #65


Знающий
****

Группа: Свой
Сообщений: 714
Регистрация: 31-08-09
Из: Харьков
Пользователь №: 52 114



Вопрос не в том, сколько лет транзистору. Возьмем APT8014L2LL (2003): 140 мОм, 1,3 В на диоде. При каком обратном токе канала заработает диод? То же самое и для IXFB 60N80P (2006). А других ключей на 800 В 140 mOhm я не видел. Кроме того, некоторых может смущать их цена.
А если почитать DataSheet еще дальше и сравнить накапливаемые в диоде заряды у Ixys и APT - то и о 10 годах как-то забываешь.

По-моему, для 100 В ключей еще можно выбрать режим, в котором обратный диод никогда работать не будет. А вольт на 400 и выше - увы.

Цитата
Это рождает только ограничения на частоту, КПД и габариты.


КПД и, косвенно, габариты - согласен. А частота тут причем?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Vokchap
сообщение Jun 2 2011, 11:08
Сообщение #66


Профессионал
*****

Группа: Админы
Сообщений: 1 884
Регистрация: 15-07-06
Из: Новосибирск, Россия
Пользователь №: 18 835



Цитата(Integrator1983 @ Jun 2 2011, 17:51) *
А вольт на 400 и выше - увы.

Так-уж и увы? 10А обратного тока мимо диода на 800-вольтовом - сущий пустяк? Пусть не на 100% канал зашунтирует паразитный диод, накопленный в диоде заряд будет пропорционален его прямому току. Соответственно это уже другая картина. Есть некая ниша.

Цитата(Integrator1983 @ Jun 2 2011, 17:51) *
КПД и, косвенно, габариты - согласен. А частота тут причем?

Интеграл под кривыми больше при крутых фронтах sm.gif. Частота и КПД понятия неразделимые.

ps
Я не имею ничего против идеи шунтировать диод каналом (или сформированным TMBS диодом) с напряжением на затворе ниже порогового, как предлагает автор в соседней теме. Раз это работает, значит будет определенная ниша. Всегда приходится искать компромисс между что хочется и что можно.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Integrator1983
сообщение Jun 2 2011, 11:51
Сообщение #67


Знающий
****

Группа: Свой
Сообщений: 714
Регистрация: 31-08-09
Из: Харьков
Пользователь №: 52 114



Цитата
Так-уж и увы?


Под УВЫ подразумевается полное исключение протекания тока через диод. sm.gif

Цитата
10А обратного тока мимо диода на 800-вольтовом - сущий пустяк?


Конечно же не пустяк. И КПД повыше, и заряд поменьше. Но накопление заряда в диоде будет, и обходится с ключем придется аккуратно (к чему и призывает уважаемый НЕХ).

Цитата
Частота и КПД понятия неразделимые.


Вот тут не согласен. Если коммутировать один и тот же ток/напряжение с частотой 50 кГц со скоростью Х и с частотой 100 кГц со скоростью 2*Х? Как по мне, динамика будет та же.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Vokchap
сообщение Jun 2 2011, 12:06
Сообщение #68


Профессионал
*****

Группа: Админы
Сообщений: 1 884
Регистрация: 15-07-06
Из: Новосибирск, Россия
Пользователь №: 18 835



Цитата(Integrator1983 @ Jun 2 2011, 18:51) *
Под УВЫ подразумевается полное исключение протекания тока через диод. sm.gif

А если не полное, стало быть фтопку?

Цитата(Integrator1983 @ Jun 2 2011, 18:51) *
Но накопление заряда в диоде будет, и обходится с ключем придется аккуратно (к чему и призывает уважаемый НЕХ).

Будет или не будет, как много будет и при каких условиях я думаю уже понятно. С ключами нужно всегда аккуратно, возражений нет.

Цитата(Integrator1983 @ Jun 2 2011, 18:51) *
Вот тут не согласен. Если коммутировать один и тот же ток/напряжение с частотой 50 кГц со скоростью Х и с частотой 100 кГц со скоростью 2*Х? Как по мне, динамика будет та же.

Ну "динамика" будет в два раза выше, КПД условно такой-же (если всё линейно). Вы сами опровергли своё возражение sm.gif.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Integrator1983
сообщение Jun 2 2011, 12:28
Сообщение #69


Знающий
****

Группа: Свой
Сообщений: 714
Регистрация: 31-08-09
Из: Харьков
Пользователь №: 52 114



Цитата
А если не полное, стало быть фтопку?


Если не полное - возникают вопросы, рассматриваемые в этой теме - то есть, вроде как режим ключа нормальный (на первый взгляд), до предельных значений токов/напряжений далеко, а ключ горит.

Цитата
Ну "динамика" будет в два раза выше, КПД условно такой-же (если всё линейно).


Не понял, как это??? Потери на переключение в 1 случае в 2 раза выше, но происходят переключения в 2 раза реже. То есть, динамические потери в ключе что в 1, что во 2 случае одинаковые.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
НЕХ
сообщение Jun 2 2011, 12:33
Сообщение #70


Профессионал
*****

Группа: Участник
Сообщений: 1 220
Регистрация: 10-10-06
Из: Петербург
Пользователь №: 21 169



Частота - принципиальна ! и дело не в динамике переключения !

на низкой частоте вредные дырки, возникшие при токе через паразитный диод, успеют рекомбинировать за время открытого ключа.
а на высокой - после закрытия могут спровоцировать лавинный пробой с открытием паразитного внутреннего биполярного транзистора при напряжения сток-исток меньше паспортных.
это может произойти только когда зарядов неосновных мало - при большом их количестве они сами ограничат динамику при рассасывании.


--------------------
Когда едешь на поезде - переезд всегда закрыт...
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Integrator1983
сообщение Jun 2 2011, 12:43
Сообщение #71


Знающий
****

Группа: Свой
Сообщений: 714
Регистрация: 31-08-09
Из: Харьков
Пользователь №: 52 114



Цитата
Частота - принципиальна ! и дело не в динамике переключения !


А режим КЗ? Длительность интервалов передачи энергии крайне мала, все остальное - свободная циркуляция, ток в диодах приличный. Плюс нагрев кристалла этим током. Если долбить ключ высокими скоростями - на любой частоте улетит (ну, разве что до единиц кГц опускаться).

Цитата
при большом их количестве они сами ограничат динамику при рассасывании.


Как по мне, лучше не надеяться на заряд диода, а поставить внешнюю емкость, ограничив dU/dt.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Vokchap
сообщение Jun 2 2011, 12:46
Сообщение #72


Профессионал
*****

Группа: Админы
Сообщений: 1 884
Регистрация: 15-07-06
Из: Новосибирск, Россия
Пользователь №: 18 835



Цитата(Integrator1983 @ Jun 2 2011, 19:28) *
То есть, динамические потери в ключе что в 1, что во 2 случае одинаковые.

Вот и я говорю, что КПД преобразователя не изменится. Т.е. обострение фронтов в 2 раза (которое возможно при решении вопроса лавинного пробоя), позволит условно в два раза задрать частоту при сохранении прежнего КПД преобразователя.

Цитата(НЕХ @ Jun 2 2011, 19:33) *
Частота - принципиальна ! и дело не в динамике переключения !

Об этом и речь - решив проблему накопления заряда в диоде (или хотя-бы его величины) - задираем частоту (обостряем фронты) без ущерба для здоровья (ключа).
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Integrator1983
сообщение Jun 2 2011, 12:52
Сообщение #73


Знающий
****

Группа: Свой
Сообщений: 714
Регистрация: 31-08-09
Из: Харьков
Пользователь №: 52 114



Цитата
Об этом и речь - решив проблему накопления заряда (или хотя-бы его величины) - задираем частоту без ущерба для здоровья (ключа).


biggrin.gif То есть все говорят об одном и том же - только по-разному. По сути, либо не допускаем насыщения диода, либо "мягко" его рассасываем, не вгоняя в область вторичного пробоя, если все же насытился.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Vokchap
сообщение Jun 2 2011, 12:56
Сообщение #74


Профессионал
*****

Группа: Админы
Сообщений: 1 884
Регистрация: 15-07-06
Из: Новосибирск, Россия
Пользователь №: 18 835



Стало быть договорились. Можно пойти выпить чаю beer.gif .
Go to the top of the page
 
+Quote Post
НЕХ
сообщение Jun 3 2011, 07:59
Сообщение #75


Профессионал
*****

Группа: Участник
Сообщений: 1 220
Регистрация: 10-10-06
Из: Петербург
Пользователь №: 21 169



неосновные носители - дырки - начнут появляться как только напряжение на стоке упадет до -0,5 Вольта(условно) и ниже.
поэтому 5 Ампер Х 0,1 Ома - предел безмятежности для условного транзистора.
есть надежда, что при бОльшем токе при условии сохранения полного открывающего напряжения на затворе, вред дырками нанесён не будет после закрытия транзистора.
Применение снабберов приводит к необходимости увеличивать реактивный ток, иначе самокоммутация под вопросом.
В PFC до киловатта CoolMos прекрасно трудится без их помощи. Жаль, что они жадно впитывают заряд при обратном течении тока через исток-сток.
Схемка драйвера обошлась тремя дискретными транзисторами, полумосту теперь фиксированный dead-time не нужен.

Недалек тот час, когда все эти потуги канут в лету http://catalog.compel.ru/blog/2011/03/18/c...remniya/?q=cree


попался транзистор симпатичный, MeanWell ставит в БП, Toshiba делает, вроде по лицензии Infineon.

Сообщение отредактировал НЕХ - Jun 3 2011, 08:07


--------------------
Когда едешь на поезде - переезд всегда закрыт...
Go to the top of the page
 
+Quote Post

9 страниц V  « < 3 4 5 6 7 > » 
Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 28th August 2025 - 17:52
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.015 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016