Генерация временной задержки, (задержка включения MOSFETа) Опции

[НЕХ]

Попался в руки блок питания на 1300 ватт, резонансный полумост на 4 транзисторах, 2 в параллель. На холостом ходу 320 кГц, на полной нагрузке - 120 кГц. Драйвера выполнены в формате микросборки с применением бескорпусных чипов, залитых компаундом, с огромными кристаллами. Видимо, в Китае кремниевые фабрики готовы на любую халтуру - регулировка модулей приводила к напайке резисторов 0805 в 3 этажа. Эти акробатические усилия, похоже, недостаточны - горят БП синим пламенем.
Модуль состоит из генератора, двух трансформаторов и двух оконечных драйверов MOSFET. Трансформаторы передают энергию питания и моменты переключения. Задержка включения 500 нс, выключение - максимально быстро. Питание : 10-15 вольт.
На чём можно изящно решить задачу задержки фронта ?

Сообщение отредактировал НЕХ - Oct 10 2010, 12:29

[Herz]

попался транзистор симпатичный, MeanWell ставит в БП, Toshiba делает, вроде по лицензии Infineon.

Какой Infineon? TOSHIBA Field Effect Transistor - это звучит гордо!

[Integrator1983]

В PFC нет обратного протекания тока. Вообще, СооlMOS прекрасно чувствуют себя в однотактниках - низкое сопротивление канала, низкий заряд затвора - замечательно. А в двухтактниках, особенно квази - и просто резонансных, все хуже - огромный заряд медленного диода, большое значение отношения емкости Миллера ко входной емкости + низкий порог открытия - заставить их нормально работать - бо-ольшая проблема.

[НЕХ]

у некоторых получается.

Прикрепленные файлы

 CoolMOS_LLC_1MHz.pdf ( 1.49 мегабайт ) Кол-во скачиваний: 782

 

[Integrator1983]

Так и у меня получалось - вопрос в потраченном времени и ключах.

А по ссылке CoolMOS_LLC_1MHz.pdf на странице 4 читаем:

"The phase shift full bridge converter is widely used in high voltage DC/DC
converter applications. ..... However, field failures of this converter
have been reported, and the cause of those failures was attributed to the reverse
recovery of the primary side device’s intrinsic body diodes [3], [4]. Since
superjunction MOSFETs, such as Infineon’s CoolMOS devices, have body
diodes with poor reverse recovery conditions, these devices have not been
widely adopted for this application."

[НЕХ]

тем временем Infineon представляет поколение CFD2...
резонансные преобразователи проникают всюду...
кто-то не поленился срисовать схему с Playstation3. 12 Вольт, почти 30 Ампер, в закрытом кожухе без принудительной вентиляции.

Прикрепленные файлы

 power_PS3.pdf ( 84.79 килобайт ) Кол-во скачиваний: 544

 

[vanya.8484]

кто-то не поленился срисовать схему

Может быть полезнее помогалку
по LLC почитать?

[Herz]

Может быть полезнее помогалку
по LLC почитать?

Что-то не работает ссылочка...

[vanya.8484]

Что-то не работает ссылочка...

Неправда ваша, специально проверил:


Сообщение отредактировал vanya.8484 - Jun 5 2011, 12:51

[Herz]

Неправда ваша, специально проверил:

Странно, значит, у меня что-то:

[НЕХ]

в Вашей "помогалке" на последней диаграмме как раз блок-схема БП PS3.
что нового можно почерпнуть из Вашего документа ?

[vanya.8484]

в Вашей "помогалке" на последней диаграмме как раз блок-схема БП PS3.
что нового можно почерпнуть из Вашего документа ?

Примерно то же, что и из вашей схемы.
Поскольку

Когда едешь на поезде - переезд всегда закрыт...

Сообщение отредактировал vanya.8484 - Jun 5 2011, 13:35

[НЕХ]

Конструктивный диалог...
презентация объёмом 2М или картинка 85к

Power MOS FET Destruction Mechanisms and Countermeasures
стр 21

Сообщение отредактировал НЕХ - Jun 5 2011, 14:05

[vanya.8484]

или картинка

Да уж, картинка весьма забавная:

[НЕХ]

Да уж, картинка весьма забавная:

рад, что Вам удалось досмотреть файл почти до конца !
(в школе, когда учитель ошибался, многие хихихали, а мне это было досадно.)
(недавно применил почти такую же схемотехнику - диодик, конечно, стоял - называется LSK "load shift keying" модуляция - для безпроводной передачи телеметрии и питания одновременно - источник шунтируется ключом, транслируя информацию)



В литературе упоминается ещё одна причина неудач - отложенный отказ ключа, вызванный снижением порогового напряжения.
Эффект накапливаемый во времени, происходит из-за деградации подзатворного диэлектрика "горячими" носителями, образованными лавинным рассасыванием.

[НЕХ]

Попался патент. Думаю интересный, короткий и по теме. Сам тоже использовал p-канальный MOSFET для решения задачи.

Подробнее о работе схемы от автора

эскиз решения

Сообщение отредактировал НЕХ - Oct 7 2011, 11:42

Эскизы прикрепленных изображений

 

Прикрепленные файлы

 GATE_DRIVER_US6580255.pdf ( 69.88 килобайт ) Кол-во скачиваний: 770