реклама на сайте
подробности

 
 
5 страниц V  « < 3 4 5  
Reply to this topicStart new topic
> SIM900D, зависание модуля поле нескольких дней работы
Aner
сообщение Nov 28 2011, 18:52
Сообщение #61


Гуру
******

Группа: Свой
Сообщений: 4 869
Регистрация: 28-02-08
Из: СПБ
Пользователь №: 35 463



именно ключ на полевике и спасает от этого эффекта. Когда девайс плностью обесточивется (обеспитанивается).
Go to the top of the page
 
+Quote Post
=F8=
сообщение Nov 28 2011, 20:55
Сообщение #62


Знающий
****

Группа: Свой
Сообщений: 567
Регистрация: 7-07-07
Из: Донецк
Пользователь №: 28 954



Цитата(Aner @ Nov 28 2011, 22:28) *
для защелкивания ток как раз не нуджен, нужена скорость нарастания потенциала, а вот дальше потечет ток с нарастанием до максималного. Все что источник может выдать то и протечет через мк.

"Latch-Up,ESD,And Other Phenomena" - Texas Instruments(рис2) Для того чтоб включить тиристор нужно создать достаточно большую разность потенциалов между выходом и Vcc, чтоб открыть верхний транзистор, чтоб тот в свою очередь открыл нижний. А для того, чтоб ее создать нужно чтоб ток на Rw превысил некоторое пороговое значение.
Поправка, открывать нужно нижний транзистор, верхний уже открыт поскольку ток в цепи Out-база-Rw уже течет.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Aner
сообщение Nov 28 2011, 21:40
Сообщение #63


Гуру
******

Группа: Свой
Сообщений: 4 869
Регистрация: 28-02-08
Из: СПБ
Пользователь №: 35 463



Цитата(=F8= @ Nov 29 2011, 00:55) *
"Latch-Up,ESD,And Other Phenomena" - Texas Instruments(рис2) Для того чтоб включить тиристор нужно создать достаточно большую разность потенциалов между выходом и Vcc, чтоб открыть верхний транзистор, чтоб тот в свою очередь открыл нижний. А для того, чтоб ее создать нужно чтоб ток на Rw превысил некоторое пороговое значение.

рисунок 6 там же. При старте, малом, незначительном токе потенциал резко растет, затем спадает и вот он вам эффект. Поскольку питающий источник с низким внутренним сопротивлением ( все время ) и быстрый ( высокая скорость нарастания тока). Для борьбы с этим есть и много микросхем и множество решений как управлять скоростью нарастания тока при старте.
Те кто поставил полевик в PowerKey. Могут наблюдать эффект зависания с некоторой регулярностью. Если правильно управлять скоростью нарастания при старте ( резком потреблении в режиме передачи) то эффекта не наблюдается.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
=F8=
сообщение Nov 29 2011, 04:49
Сообщение #64


Знающий
****

Группа: Свой
Сообщений: 567
Регистрация: 7-07-07
Из: Донецк
Пользователь №: 28 954



Цитата(Aner @ Nov 29 2011, 00:40) *
рисунок 6 там же. При старте, малом, незначительном токе потенциал резко растет, затем спадает и вот он вам эффект. Поскольку питающий источник с низким внутренним сопротивлением ( все время ) и быстрый ( высокая скорость нарастания тока). Для борьбы с этим есть и много микросхем и множество решений как управлять скоростью нарастания тока при старте.
Те кто поставил полевик в PowerKey. Могут наблюдать эффект зависания с некоторой регулярностью. Если правильно управлять скоростью нарастания при старте ( резком потреблении в режиме передачи) то эффекта не наблюдается.

Честно говоря не понял какое отношение рис 6 имеет к обсуждаемому вопросу. Там говорится о том, что при выключении транзистора работающего на низкоомную нагрузку, при напряжениях близких к предельным этот транзистор может защелкнутся. Какое это имеет отношение к ситуации когда с внутренней схемы модуля питание снято, а на ножке подключенной к выходу МК еще есть '1'?
Go to the top of the page
 
+Quote Post

5 страниц V  « < 3 4 5
Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 30th August 2025 - 23:37
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.03841 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016