Цитата
Здравствуйте, нужна помощь в понимании фундаментальных основ. Пытаюсь согласовать мощный вч транзистор и похоже что-то я упускаю. Провел Load-pull анализ и получил значения 1.25 +*j1.55 = Zload и 0.5 + *j1.5 = Zsource. Оба значения для одного транзистора, то есть для push-pull, Zload 2.5 +*j3.1 и для Zsource 1.0 + *j3.0.
Далее попытался спроектировать балун вроде что-то получилось. Значения импедансов в ADS выбрал 50 Ohm порт1 и 10 Ohm дифференциальный порт2. Схема подключения на рисунке 1. Теперь можно вывести график S(2,2) на диаграмме Смита (рис 5). Вопрос будет ли это реальным импедансом балуна со стороны балансных портов?
S22 - коэффициент отражения, он же WSVR, только в комплексной форме. Если хотите реальный импеданс, так и выводить нужно Z параметр.
Цитата
Еще вопрос, в инструмент согласование забивать значения *Zsource = 2.5 +*j3.1 а Zload (импеданс балуна) допустим = 10 +j*2. Правильно? я так понимаю значение в Zsource вписывать сопряженное с импедансом транзистора.
У меня получилось последовательная индуктивность в районе 8нГн и емкость 160-180 пкФ. Так как мне надо дифф. схему значение индуктивностей разделил на 2. Далее 4 нГн симитировал отрезком линии. Схему нагрузил на терминал с импедансом 2.5 -*j3.1 И далее запустил оптимизацию. Что то в результате оптимизатор переиначил все значения (то что забил вручную давали не оч. хорошее согласование). Проверил отрезки линий перед транзистором получил около 4нГн значения как и должно быть. Далее вообще их убрал и оставил только балун, но значения конденсаторов оставил из пред анализа, нагрузив на 10 Ом получил значения около 5 + 5 Ом. Этот момент непонятен. То есть стал иметь импеданс 6 Ом ? рис 2
Поиграйтесь отдельно с этими линиями. Возьмите компоненты, модели реальных компонентов, поиграйтесь с диаграммой, что там где будет. А потом как разберётесь, макетку ещё лучше сделать и её обмерять.
8 нГн - это приблизительно дорожка шир 1 мм и длинной 8 мм. Если вы её хотите как линию рассчитать.. то и длинну надо будет подбирать, чтобы "волна-на вашей частоте" в эту линию "влезла". По опыту работы до 6 ГГц стандартные модели работают довольно точно, сходимость доли процента. Оптимизатор - дура, даёт дурацкий ответ на дурацки заданный вопрос. Помоему там не просто балуны
Гляньте ещё Microwave office. ADS - гибче, но если начало с нуля офис попроще будет и попонятнее.
Там же написано Z - порта умножить на ... 0,45+0,3j если порт 50 ом.. вот и будет 22.5 ом. Т.е это нормированная диаграмма, относительно импеданса порта.
Поковыряйте ещё эту тему.. тут народ уже разбирался :-)
Я бы брал готовую схему, как у них. И сначала бы её сделал на дискретных элементах на идеальных. Потом бы заменил их на элементы с добротностью.
Потом бы заменил это всё на модели с распределёнными параметрами. Потом сделал бы макетку с тем что "нарссчитывал".. замерял бы что получается.. определил бы причины ухода параметров - а они будут.
После того как всё более менее сошлось... Начал бы менять частоты и перестраивать схему на разные частоты, импедансы и т.д. И только после всех этих "мероприятий.." занялся бы "балуном... " :-)
Советую обзавестись ещё нелинейной моделью транзистора.
и LLSP - "большесигнальными - S-параметрами транзистора". Поначалу возможно и не пригодится, но когда пойдёте из симулятора на "натуру".. Могут остаться рожки да ножки от ваших рассчётов.
Многие вещи нам непонятны не потому, что наши понятия слабы; но потому, что сии вещи не входят в круг наших понятий.
Мелочи не имеют решающего значения, мелочи решают все.
Оставайся батарейкой в чужой схеме, или изучай media-mera ru
Каждый в меру понимания работает на себя, в меру непонимания - на того, кто понимает больше.
И хитрили они, и хитрил Бог, а Бог -- лучший из хитрецов.
Согласование Push-Pull RF транзистора с планарным балуном
Aug 7 2018, 17:32
