|
|
|
Прошу покритиковать трассировку платы |
|
|
|
Oct 23 2017, 17:08
|
Профессионал
Группа: Участник
Сообщений: 1 075
Регистрация: 30-09-05
Пользователь №: 9 118
|
Цитата(x736C @ Oct 23 2017, 19:00) Никакие цифры тут не в силах никого убедить) Не собираюсь никого убеждать, просто надеялся почерпнуть что-то новое. Видно, не судьба. 2 трассы, одна ~~1см (задержка 60пс), другая ~~10см (задержка 600пс). Реакция на ступенчатый ток (100мА).
Эскизы прикрепленных изображений
|
|
|
|
|
Oct 25 2017, 19:40
|
Местный
Группа: Свой
Сообщений: 223
Регистрация: 23-09-15
Из: Спб
Пользователь №: 88 520
|
Как вам такой подход к определению эффективен ли конденсатор на том или ином расстоянии от микросхемы:
Дано: 1. Микросхема создает скачки напряжения длительностью 1нс, частота 500 МГц. 2. Развязывающий конденсатор находится на значительном расстоянии от места подключения микросхемы к полигонам питания и земли. 3. Микросхема подключается сразу к полигонам питания и земли с помощью виа, назовем эти виа соответственно viaPWR и viaGND. 4. Наш удаленно расположенный развязывающий конденсатор подключен к тем же виа (viaPWR и viaGND), получается что виа расположены где то между микросхемой и конденсатором (виа ближе к микросхеме).
Получаем: 1. Возможна ситуация, что время прохождения петли viaPWR-конденсатор-viaGND будет равно 1 нс. При этом данный конденсатор будет не эффективен (скачок или просадка напряжения сама равна 1 нс, т.к. пиковое потребление микросхемы 1 нс). 2. Возникшие шумы проникают в полигоны питания и земли, прежде чем конденсатор будет иметь возможность повлиять на ситуацию. 3. Шум проникает в PWR и GND плоскости в фиксированном месте и распространяются радиально от этой точки со скоростью, зависящей от свойств диэлектрического материала. Если диэлектрический материал FR-4, скорость распространения для этих возмущений питания и и земли составляет примерно 15см на 1нс. 4. Конденсатор в радиусе 2.54см от места подключения к полигонам шумящей микросхемы, обеспечит время распространение от точки впрыска шума к конденсатору и обратно равное 1/3 нс.
Вывод: В данном примере импульсы скачков напряжения длительностью 1 нс фильтровать будут конденсаторы расположенные не дальше чем 2.54 см.
|
|
|
|
|
Oct 25 2017, 22:46
|
Профессионал
Группа: Участник
Сообщений: 1 075
Регистрация: 30-09-05
Пользователь №: 9 118
|
Цитата(def_rain @ Oct 25 2017, 22:40) Вывод: В данном примере импульсы скачков напряжения длительностью 1 нс фильтровать будут конденсаторы расположенные не дальше чем 2.54 см. Не так, надо учитывать, что полигоны питания-земли сами образуют распределенный конденсатор, который и является основным внешним фильтром ВЧ шума. (Еще надо учитывать, что внутри чипа тоже есть емкость питание-земля, имхо ~~нФ для не очень мелких чипов). У меня как раз блокировочные конденсаторы в радиусе ~~2см, микросхема может работать управляемым генератором до почти ГГц, и я смотрел шумы в питании. Максимум пульсаций получился в районе ~~600МГц, дальше спад. Это совпадает с предположением, что индуктивности виасов совместно с распределенным конденсатором питание-земля образуют резонансный контур, который и дает пик пульсаций на определенной частоте.
Сообщение отредактировал Leka - Oct 25 2017, 22:53
|
|
|
|
|
Oct 26 2017, 05:38
|
Местный
Группа: Свой
Сообщений: 256
Регистрация: 3-05-05
Из: г. Волжский
Пользователь №: 4 714
|
QUOTE (Leka @ Oct 26 2017, 01:46) У меня как раз блокировочные конденсаторы в радиусе ~~2см, микросхема может работать управляемым генератором до почти ГГц, и я смотрел шумы в питании. Как интересно тема вырулила.
|
|
|
|
|
Oct 26 2017, 06:52
|
Местный
Группа: Свой
Сообщений: 223
Регистрация: 23-09-15
Из: Спб
Пользователь №: 88 520
|
Цитата(vvvv @ Oct 26 2017, 18:38) Как интересно тема вырулила. Недавно уже обсуждали точно такую же тему, прям один в один. https://electronix.ru/forum/index.php?showtopic=142825Цитата(Leka @ Oct 26 2017, 11:46) Не так, надо учитывать, что полигоны питания-земли сами образуют распределенный конденсатор, который и является основным внешним фильтром ВЧ шума. (Еще надо учитывать, что внутри чипа тоже есть емкость питание-земля, имхо ~~нФ для не очень мелких чипов). Ну это понятно, что метод не претендует на какую то солидную точность, слишком много дополнительных нюансов не оговорено и особенности плат бывают разные. Это так, прикинуть на глазок =)
|
|
|
|
|
|
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0
|
|
|