Прошу покритиковать трассировку платы Опции

[EvilWrecker]

в радиусе ~~1..2см, и через переходные шунтируют +3V и GND

Можно и не анализировать- вы проиграли даже ТС, у которого расстояния минимум в 2-4 раза короче чем у вас - но все же очень интересно спросить, о каком именно анализе идет речь?

[Leka]

о каком именно анализе идет речь?

О влиянии топологии на электрические характеристики, конечно - пульсации/шум в питании/сигналах.
И не в терминах "больше/меньше", а в цифрах, позволяющих принять/отвергнуть конкретные топологии в конкретных задачах.


Сообщение отредактировал Leka - Oct 23 2017, 15:26

[EvilWrecker]

О влиянии топологии на электрические характеристики, конечно - пульсации/шум в питании/сигналах.
И не в терминах "больше/меньше", а в цифрах, позволяющих принять/отвергнуть конкретные топологии в конкретных задачах.

Безусловно игры в анализ вида "какой автомобиль поедет лучше- с круглыми или квадратными колесами", с подробными отчетами, графиками и прочим реально необходимы чтобы понять разницу, но вот что хочется спросить- а какие конкретные задачи и условия предполагается тестировать? Ну и расскажите заодно подробнее о методах, критериях и пр. аспектах "анализа"- как минимум хочется узнать какие теории предполагается опровергать/подтверждать

[x736C]

Leka, не советую ввязываться. Никакие цифры тут не в силах никого убедить)

[EvilWrecker]

Никакие цифры тут не в силах никого убедить)

Вы так говорите будто они у вас есть Или что либо отдаленно их напоминающее. Но связываться действительно особого смысла нет- прогорите как в других ветках

[Leka]

Никакие цифры тут не в силах никого убедить)

Не собираюсь никого убеждать, просто надеялся почерпнуть что-то новое. Видно, не судьба.
2 трассы, одна ~~1см (задержка 60пс), другая ~~10см (задержка 600пс).
Реакция на ступенчатый ток (100мА).

Эскизы прикрепленных изображений

 

[EvilWrecker]

2 трассы

Тут многое уже можно сказать , но позвольте спросить- какой физический объект моделируется(а также условия и оговорки)? И что вы хотите получить по результатам моделирования?

[Карлсон]

Топикстартеру: вы читали вообще http://www.st.com/content/ccc/resource/tec....DM00115714.pdf ?
В частности главу 8.3?

[EvilWrecker]

Топикстартеру: вы читали вообще http://www.st.com/content/ccc/resource/tec....DM00115714.pdf ?
В частности главу 8.3?

+1. Это "необходимый и достаточный минимум", вменяемая норма(но далеко не для всех типоразмеров )- разворачивать банку на 90 гр как ТС не стоит.

[def_rain]

Как вам такой подход к определению эффективен ли конденсатор на том или ином расстоянии от микросхемы:

Дано:
1. Микросхема создает скачки напряжения длительностью 1нс, частота 500 МГц.
2. Развязывающий конденсатор находится на значительном расстоянии от места подключения микросхемы к полигонам питания и земли.
3. Микросхема подключается сразу к полигонам питания и земли с помощью виа, назовем эти виа соответственно viaPWR и viaGND.
4. Наш удаленно расположенный развязывающий конденсатор подключен к тем же виа (viaPWR и viaGND), получается что виа расположены где то между микросхемой и конденсатором (виа ближе к микросхеме).

Получаем:
1. Возможна ситуация, что время прохождения петли viaPWR-конденсатор-viaGND будет равно 1 нс. При этом данный конденсатор будет не эффективен (скачок или просадка напряжения сама равна 1 нс, т.к. пиковое потребление микросхемы 1 нс).
2. Возникшие шумы проникают в полигоны питания и земли, прежде чем конденсатор будет иметь возможность повлиять на ситуацию.
3. Шум проникает в PWR и GND плоскости в фиксированном месте и распространяются радиально от этой точки со скоростью, зависящей от свойств диэлектрического материала. Если диэлектрический материал FR-4, скорость распространения для этих возмущений питания и и земли составляет примерно 15см на 1нс.
4. Конденсатор в радиусе 2.54см от места подключения к полигонам шумящей микросхемы, обеспечит время распространение от точки впрыска шума к конденсатору и обратно равное 1/3 нс.

Вывод:
В данном примере импульсы скачков напряжения длительностью 1 нс фильтровать будут конденсаторы расположенные не дальше чем 2.54 см.

[Leka]

Вывод:
В данном примере импульсы скачков напряжения длительностью 1 нс фильтровать будут конденсаторы расположенные не дальше чем 2.54 см.

Не так, надо учитывать, что полигоны питания-земли сами образуют распределенный конденсатор, который и является основным внешним фильтром ВЧ шума.
(Еще надо учитывать, что внутри чипа тоже есть емкость питание-земля, имхо ~~нФ для не очень мелких чипов).

У меня как раз блокировочные конденсаторы в радиусе ~~2см, микросхема может работать управляемым генератором до почти ГГц, и я смотрел шумы в питании.
Максимум пульсаций получился в районе ~~600МГц, дальше спад. Это совпадает с предположением, что индуктивности виасов совместно с распределенным конденсатором питание-земля образуют резонансный контур, который и дает пик пульсаций на определенной частоте.

Сообщение отредактировал Leka - Oct 25 2017, 22:53

[vvvv]

У меня как раз блокировочные конденсаторы в радиусе ~~2см, микросхема может работать управляемым генератором до почти ГГц, и я смотрел шумы в питании.

Как интересно тема вырулила.

[def_rain]

Как интересно тема вырулила.

Недавно уже обсуждали точно такую же тему, прям один в один.

https://electronix.ru/forum/index.php?showtopic=142825

Не так, надо учитывать, что полигоны питания-земли сами образуют распределенный конденсатор, который и является основным внешним фильтром ВЧ шума.
(Еще надо учитывать, что внутри чипа тоже есть емкость питание-земля, имхо ~~нФ для не очень мелких чипов).

Ну это понятно, что метод не претендует на какую то солидную точность, слишком много дополнительных нюансов не оговорено и особенности плат бывают разные. Это так, прикинуть на глазок =)

[Leka]

4. Наш удаленно расположенный развязывающий конденсатор подключен к тем же виа (viaPWR и viaGND), получается что виа расположены где то между микросхемой и конденсатором (виа ближе к микросхеме).

Имхо, если конденсатор расположен дальше пары мм от viaPWR и viaGND, то тянуть от них отдельные проводники к конденсатору не имеет смысла.
Достаточно соединить конденсатор к PWR и GND своими via.

[Leka]

Топикстартеру: вы читали вообще http://www.st.com/content/ccc/resource/tec....DM00115714.pdf ?
В частности главу 8.3?

Разные чипы, с разными частотами, потреблением, в разных корпусах, для всех - одна рекомендация, "как можно ближе", с рисунком без соблюдения масштаба.
Пустая отписка.