Опознание IGBT транзистора Опции

[Stariy Alex]

Потому что подавать плюс на затвор нужно относительно истока, а не стока. Проверяйте еще раз.

Обвязка видная на снимках - емкость эл. к истоку подключен импульсный диод, а транзистор,
с изолировынным затвором и тестером можно на затвор не залазить. Возможная проверка -
имитировать подключение полевого т-ра к источнику ~ 3 - 5 в. - простейшая схема подключения -
на затвор подать напряжение/отключить.

[5Sasha5]

Потому что подавать плюс на затвор нужно относительно истока, а не стока. Проверяйте еще раз.

Обвязка видная на снимках - емкость эл. к истоку подключен импульсный диод, а транзистор,
с изолировынным затвором и тестером можно на затвор не залазить. Возможная проверка -
имитировать подключение полевого т-ра к источнику ~ 3 - 5 в. - простейшая схема подключения -
на затвор подать напряжение/отключить.

Блин, парни о чём вы??
Я беру рабочий ПОЛЕВОЙ ТPАНЗИСТОP С ИЗОЛИPОВАННЫМ ЗАТВОPОМ И N-КАНАЛОМ держу щуп минус на стоке, касаюсь плюсом затвора и транзистор открылся.
Я уже и фотки скинул, и плату, и принцип работы устройства, и тип транзистора, а вам все мало информации. Наверное достаточно будет когда я сам и модель его напишу.
Сорри конечно, но я уже не знаю, какую еще нужно дать информацию, чтобы его определить.
И по поводу проверки: http://www.rom.by/book/Kak_proverit_polevoj_tranzistor

[rezident]

Я беру рабочий ПОЛЕВОЙ ТPАНЗИСТОP С ИЗОЛИPОВАННЫМ ЗАТВОPОМ И N-КАНАЛОМ держу щуп минус на стоке, касаюсь плюсом затвора и транзистор открылся.

Именно поэтому я вам и указал, что подавать напряжение на затвор нужно относительно истока, а не стока. В обозначении S - это Source - исток, а вовсе не сток, который D - Drain. По вашей ссылке на рисунке 2 подписано все верно. А вот в тексте написана лажа. Какой-то радиогулюбитель поучает себе подобных Причем описывает это неправильно.

[5Sasha5]

Именно поэтому я вам и указал, что подавать напряжение на затвор нужно относительно истока, а не стока. В обозначении S - это Source - исток, а вовсе не сток, который D - Drain. По вашей ссылке на рисунке 2 подписано все верно. А вот в тексте написана лажа. Какой-то радиогулюбитель поучает себе подобных Причем описывает это неправильно.

Я вас не пойму, в тексте так и написано, D-сток, S-исток. На стоке (D) держим черный щуп, на истоке (S) держим красный щуп. Чтоб открыть транзистор касаемся красным затвора (не отпуская черный). О какой ошибке вы говорите???

[rezident]

Я вас не пойму, в тексте так и написано, D-сток, S-исток. На стоке (D) держим черный щуп, на истоке (S) держим красный щуп. Чтоб открыть транзистор касаемся красным затвора (не отпуская черный). О какой ошибке вы говорите???

Да нет же!!!! Щуп "с минусом" нужно прикладывать к истоку (S), щуп "с плюсом" к затвору (G). После этого, не убирая щуп "минуса" с истока, щуп с "плюсом" переместить на сток (D). В зависимости от качества изготовления MOSFET или исправности его (утечек с затвора), емкости самого затвора и величины напряжения на щупах тестера MOSFET может открыться полностью (сопротивление менее 0,1 Ома) или частично (сопротивление скажем до 200 Ом).
Затем если приложить щупы в обратной полярности (плюс на исток, а минус на затвор) или закоротить затвор и исток (например, пинцетом), то MOSFET должен закрыться (сопротивление выше 2МОм). Щупы по-прежнему в той же позиции минус на истоке (S), плюс на стоке (D). При прозвонке только лишь паразитного диода (body-diode) или так, как это указано по вашей ссылке можно и не понять исправен ли MOSFET или у него высокая утечка с затвора или вообще затвор пробит (на исток или даже на сток).
Это все, естественно, только для N-канальных MOSFET. Для P-канальных плюс и минус щупов нужно везде по тексту поменять местами.

[5Sasha5]

Да нет же!!!! Щуп "с минусом" нужно прикладывать к истоку (S), щуп "с плюсом" к затвору (G). После этого, не убирая щуп "минуса" с истока, щуп с "плюсом" переместить на сток (D). В зависимости от качества изготовления MOSFET или исправности его (утечек с затвора), емкости самого затвора и величины напряжения на щупах тестера MOSFET может открыться полностью (сопротивление менее 0,1 Ома) или частично (сопротивление скажем до 200 Ом).
Затем если приложить щупы в обратной полярности (плюс на исток, а минус на затвор) или закоротить затвор и исток (например, пинцетом), то MOSFET должен закрыться (сопротивление выше 2МОм). Щупы по-прежнему в той же позиции минус на истоке (S), плюс на стоке (D). При прозвонке только лишь паразитного диода (body-diode) или так, как это указано по вашей ссылке можно и не понять исправен ли MOSFET или у него высокая утечка с затвора или вообще затвор пробит (на исток или даже на сток).
Это все, естественно, только для N-канальных MOSFET. Для P-канальных плюс и минус щупов нужно везде по тексту поменять местами.

Проверил и по вашей методике заведомо исправный. Когда открывается - сопротивление между стоком и истоком 13 Ом. Когда закрываю - бесконечность.
Потом проверил этот неизвестный. Унего сопротивление между стоком и истоком 10 кОм. И не меняется при попытке открыть его.

[rezident]

Потом проверил этот неизвестный. Унего сопротивление между стоком и истоком 10 кОм. И не меняется при попытке открыть его.

Тогда, да, он неисправен. А затвор никак не звонится на исток или сток?

[SNGNL]

Помогите пожалуйста. Я предположил что это IGBT транзистор в корпусе D2PAK ( TO-263-3 ). Может кто-нибудб поможет опознать?
Вверху написано 210 и в кружке ON, внизу написано 4007.

Переадресовал Ваш вопрос службе техподдержки ON Semiconductor.Они ответили, что марка компонента - STD1057T4. Это специальный компонент для специфического заказчика, поэтому более подробной информации предоставить не могут.

[5Sasha5]

Тогда, да, он неисправен. А затвор никак не звонится на исток или сток?

Если минус на затворе, плюс на стоке - 117 кОм.
Если минус на затворе, плюс на истоке - 65 кОм.
Меняю полярность - соответсвенно 156 кОм и 46 кОм.

Переадресовал Ваш вопрос службе техподдержки ON Semiconductor.Они ответили, что марка компонента - STD1057T4. Это специальный компонент для специфического заказчика, поэтому более подробной информации предоставить не могут.

Спасибо за помощь.

[5Sasha5]

Интересно, а datasheet на этот элемент (ON Semiconductor STD1057T4) нереально найти?

[SNGNL]

Datasheet у них и запросил. Их ответ в моём предыдущем посте. Впрочем, может, в сети найдете. Особенно, если производитель не единственный.

[5Sasha5]

Datasheet у них и запросил. Их ответ в моём предыдущем посте. Впрочем, может, в сети найдете. Особенно, если производитель не единственный.

С таким номером еще моторола встречается, только ссылки на pdf datasheet все нерабочие.

[rezident]

С таким номером еще моторола встречается

Дык ON Semiconductor это и есть бывшая Motorola. Точнее часть ее, в которую выделили дискрет и прочие полупроводники. Микроконтроллеры из Motorola выделились в Freescale Semiconductor, которая изначально была лишь подразделением первой. А под брендом Motorola продолжает выпускаться всякая бытовуха, типа мобильников и радиостанций.

[SNGNL]

Хоть недолго искал, но тоже не нашел. Наверное, транзистор очень секретный. Зато нашел сей документ от ON Semiconductor ( product discontinuance- список компонентов, снятых с производства и их рекомендуемые замены). Согласно этому документу рекомендуемая замена для STD1057T4: NTB18N06T4

Прикрепленные файлы

 product_discontinuance.pdf ( 123.75 килобайт ) Кол-во скачиваний: 76

 

[Stariy Alex]

Хоть недолго искал, но тоже не нашел. Наверное, транзистор очень секретный. Зато нашел сей документ от ON Semiconductor ( product discontinuance- список компонентов, снятых с производства и их рекомендуемые замены). Согласно этому документу рекомендуемая замена для STD1057T4: NTB18N06T4

Глянул. Если ON Semi советует, значит можно заменить и данныр/цоколевка подходят.

Прикрепленные файлы

 NTB18N06_ON_Semi.pdf ( 81.34 килобайт ) Кол-во скачиваний: 176