Вопрос по проектированию ОС в ИП, в частности полумостах. Моделирую прототип устройства с такими параметрами:
1) Контроллер - TL494, частота 62 кгц.
2) Напряжение регулируемое, от 3.3 (5) В до 32. Основное назначение - заряд АКБ.
3) Ток до 25 А в нормальном режиме, перегрузка до 50 А (если использовать как пускач)
4) Моточные данные: транс - кольцо из n87, 50х30х20, первичка 17 витков, вторичка - две обмотки по 6 витков.
Выходной дроссель ETD54, N87, зазор между половинками 4 мм, 18 витков.
При моделировании заметил следующее: обратная связь как по току, так и по напряжению влияет на перемагничивание сердечника. При неверном номинале получается такая картинка
V(
- индукция, ID(M8), ID(M9) - ток ключей верхнего и нижнего ключа, I(R20) - ток нагрузки.
Видно, что циклы перемагничивания скачут из-за несеметрии импульсов, пока не попадают в насыщение и не срабатывает поцикловая защита. Следующий цикл размагничивает транс, но в любом случае система скачет к области насыщения.
А вот что при других параметрах:
Считал по такой методике:
http://www.ti.com/lit/ml/slup098/slup098.pdfНо не уверен, что все понял правильно.
1) Что посоветуете прочитать по теме?
2) Насколько можно доверять полученным результатам, может, есть специальный софт для проектирования цепей компенсации?
3) Смущает использование параметра типа ESR. Он, как я понял, нормируется весьма условно, изменяется от температуры и возраста конденсаторов. Как можно заложить запас, минимизируя инерционность цепи?
Вот что получилось в итоге.
Номинал в цепи ограничения тока 270 ом настораживает.
4) В качестве поцикловой защиты используется защелка на CD4093
Насколько хорошо такое решение?
Просьба модераторам перенести тему сюда
https://electronix.ru/forum/index.php?showforum=177
Сообщение отредактировал kolhoz - Feb 7 2018, 20:43