Здравствуйте!
Прошу покритиковать, выслушаю конкретные рекомендации.
САПР - OrCAD.
ПП - 4 слоя (внутренние слои - общая цепь и питание +3.3 В, на рисунке не показаны).
Дорожки - 8 мил.
Дорожки цепей питания и общей - 11 мил.
Зазоры - 8 мил.
Трасировка шины данных - точка-точка, шины адреса и линий управления - Т-образная.
SDRAM - MT48LC16M16A2P-75IT.
МК - AT91SAM9XE512-QU.
Хотелось бы как-нибудь обжать трассировку памяти и микроконтроллера, чтобы меньше места она занимала.
Последовательные резисторы и терминирующие резисторы в цепи МК-память пока не поставил.
Насколько это принципиально? Как зависит от частоты и длины трасс необходимость их присутствия?
Рядом с МС памяти - электролиты 10 мкФ. Нормально ли я их расположил с точки зрения выполняемых ими функций?
Благодарю заранее!
Эскизы прикрепленных изображений
Трассировка SDRAM
May 4 2010, 15:03
