|
|
|
Мощность, рассеиваемая драйвером MOSFET, Как правильно посчитать? |
|
|
|
Nov 14 2008, 11:01
|
Дима
Группа: Свой
Сообщений: 1 683
Регистрация: 15-12-04
Из: Санкт-Петербург
Пользователь №: 1 486
|
Здравствуйте все! Смотрю datasheet на драйвер MOSFET ISL55110 http://www.intersil.com/data/fn/fn6228.pdf от Intersil. Там на стр. 12 есть формула для рассеиваемой мощности. Она состоит из четырёх составляющих. Первые три понятные: от статического тока и от тока перезаряда условных внутренних емкостей от двух питающих напряжений. А четвёртая - от тока через ёмкость нагрузки, равная произведению ёмкости нагрузки на квадрат напряжения питания и на частоту. Разве эта мощность рассеивается в микросхеме драйвера, а не в нагрузке? Заранее признателен.
--------------------
|
|
|
|
|
Nov 14 2008, 11:56
|
Профессионал
Группа: Свой
Сообщений: 1 897
Регистрация: 21-02-05
Из: Украина
Пользователь №: 2 805
|
Цитата(DSIoffe @ Nov 14 2008, 13:01) Здравствуйте все! Смотрю datasheet на драйвер MOSFET ISL55110 http://www.intersil.com/data/fn/fn6228.pdf от Intersil. Там на стр. 12 есть формула для рассеиваемой мощности. Она состоит из четырёх составляющих. Первые три понятные: от статического тока и от тока перезаряда условных внутренних емкостей от двух питающих напряжений. А четвёртая - от тока через ёмкость нагрузки, равная произведению ёмкости нагрузки на квадрат напряжения питания и на частоту. Разве эта мощность рассеивается в микросхеме драйвера, а не в нагрузке? Заранее признателен. Изестная фишка - есть два конденсатора, заряженные до разного напряжения и ключ, замыкающий их между собой. Посчитайте разность энергий, запасенных до и после. И где эта разность выделяется?
|
|
|
|
|
Nov 14 2008, 12:12
|
Местный
Группа: Участник
Сообщений: 468
Регистрация: 4-03-05
Пользователь №: 3 066
|
Цитата(DSIoffe @ Nov 14 2008, 14:01) Здравствуйте все! Смотрю datasheet на драйвер MOSFET ISL55110 http://www.intersil.com/data/fn/fn6228.pdf от Intersil. Там на стр. 12 есть формула для рассеиваемой мощности. Она состоит из четырёх составляющих. Первые три понятные: от статического тока и от тока перезаряда условных внутренних емкостей от двух питающих напряжений. А четвёртая - от тока через ёмкость нагрузки, равная произведению ёмкости нагрузки на квадрат напряжения питания и на частоту. Разве эта мощность рассеивается в микросхеме драйвера, а не в нагрузке? Заранее признателен. Ну вообще-то, при заряде емкости С в ключе рассеивается ровно столько же энергии, сколько запасается и в емкости С: C*V*V/2. А в формуле, которую пишут intersilовцы учтено, что еще столько же (C*V*V/2) будет рассеяно в ключах и при разряде емкости С.
|
|
|
|
|
Nov 15 2008, 14:31
|
Профессионал
Группа: Админы
Сообщений: 1 884
Регистрация: 15-07-06
Из: Новосибирск, Россия
Пользователь №: 18 835
|
Цитата(Vokchap @ Nov 14 2008, 16:45) . Грубо половина этой величины пойдет на управление затвором, половина (больше половины реально) рассеится на всех активных сопротивлениях. Не точно выразился, сорри. Я имел ввиду при заряде емкости затвора половина потраченной энергии запасается в этой емкости, ~половина рассеивается на всех активных сопротивлениях зарядного контура. При перезаряде емкости вся запасенная в ней энергия рассеивается на той-же сумме 3-х сопротивлений. Поэтому в формуле двойка лишняя. Т.е. что взяли от питания, то половину от этого рассеяли при заряде емкости на всех R, вторую половину рассеяли при её разряде (либо перезаряде, если затвор смещаем в минус). Везде предполагал, что индуктивность в контуре ничтожная.
|
|
|
|
|
Nov 17 2008, 08:57
|
Профессионал
Группа: Админы
Сообщений: 1 884
Регистрация: 15-07-06
Из: Новосибирск, Россия
Пользователь №: 18 835
|
Цитата(DSIoffe @ Nov 17 2008, 11:26) Вот это я пальцем и чувствовал: такой драйвер у меня греется на холостом ходу так, что пальцу горячо, и подключение нагрузки не очень влияло на его температуру. А чего ему греться на холостом ходу-то? Синий он должен быть. Цитата(DSIoffe @ Nov 17 2008, 11:26) что такое q в Вашей формуле? И почему КПД заряда емкости через сопротивление - 50%? q - заряд включения, писал выше. Приводится во всех даташитах и рекомендуется для использования в расчетах вместо входной емкости, т.к. более адекватен. Про КПД заряда емкости через сопротивление - это читайте у классиков ТОЭ, тут об этом думаю не стоит.
|
|
|
|
|
Nov 17 2008, 12:12
|
Дима
Группа: Свой
Сообщений: 1 683
Регистрация: 15-12-04
Из: Санкт-Петербург
Пользователь №: 1 486
|
Цитата("Vokchap") А чего ему греться на холостом ходу-то? А он у меня работает на частотах 10-15 МГц. Если такую частоту подставить в формулу из datasheet, получится большой кусок ватта на небольшой корпус. Вот он и греется. Только не подумайте, что это я делаю такой блок питания. Цитата читайте у классиков ТОЭ А хоть ключевое слово для поиска, а?
--------------------
|
|
|
|
|
Nov 17 2008, 12:17
|
Профессионал
Группа: Админы
Сообщений: 1 884
Регистрация: 15-07-06
Из: Новосибирск, Россия
Пользователь №: 18 835
|
Цитата(DSIoffe @ Nov 17 2008, 15:12) А он у меня работает на частотах 10-15 МГц. Если такую частоту подставить в формулу из datasheet, получится большой кусок ватта на небольшой корпус. Вот он и греется. Только не подумайте, что это я делаю такой блок питания. Понятно. На кроубар у него потери преобладают. Цитата(DSIoffe @ Nov 17 2008, 15:12) А хоть ключевое слово для поиска, а? ЗЕВЕКЕ Г.В. Основы теории цепей. 1975. БЕССОНОВ Л.А. Теоретические основы электротехники. Электрические цепи 1996. Там есть.
|
|
|
|
|
|
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0
|
|
|