Рыба, Вы путаете терминологию. Следует различать энергию самой частицы (протона или иона) измеряемую в эВ, и линейные потери энергии этой частицы в веществе, измеряемые в МэВ×см2/мг .
Это суть разные вещи. Да, можно бахнуть ГэВ-ными протонами, но ЛПЭ у них будет очень небольшие.
"наверху" действительно, спектр примерно от 0 до 100 МэВ×см2/мг. На земле это, в общем то, воспроизводится, но с некоторыми ограничениями по пробегу. Поэтому при испытаниях облучают микросхемы с открытым кристаллом, да еще в вакууме. Если, например, у микросхемы чувствительная область находится глубже, чем пробег частицы, применяют шлифование, например со стороны подложки, чтобы частицы при испытаниях достигли чувствительной области.
Установки для испытаний есть, аттестованы, методики расчета для конкретных орбит имеются, испытания на них проводятся в большом количестве. Так что, wellcome
.