реклама на сайте
подробности

 
 
> Программирование сегмента данных F5xxx
varvar
сообщение Mar 24 2013, 08:22
Сообщение #1


Частый гость
**

Группа: Участник
Сообщений: 93
Регистрация: 5-01-05
Из: Оулу
Пользователь №: 1 811



Не подскажете, в чем разница программирования сегментов данных F5xx и F1xx? В F1xx, как помнится, было ограничение по тактовой частоте и минимальному напряжению.
В F5xx таких ограничений не увидел, тем не менее код, по сути дела скопированный из примеров, ничего во флеш не записывает.
Частота 8 мгц (уменьшение до 1 не помогло), питание 3.3V.

Код
void BurnEeprom(void)
{
  char *Flash_ptrC;
  Flash_ptrC = (char *) 0x1880;             // Initialize info segment C ptr  
  __disable_interrupt();                    // 5xx Workaround: Disable global

  FCTL3 = FWKEY;                           // unlock info  
  FCTL1 = FWKEY+ERASE;                     // Set Erase bit  
  *Flash_ptrC = 0;                         // Dummy write to erase info seg С
  
// на всякий случай - 32ms
  for (volatile int i=0; i<10000; i++)
  {
    __no_operation();
    __no_operation();    
    __no_operation();        
  }
  
  FCTL1 = FWKEY+WRT;                       // Byte write
  for (int i=0; i<27; i++) *Flash_ptrC++ = EEPROM.RegMap[i];  
  FCTL1 = FWKEY;                            // Clear WRT bit
  FCTL3 = FWKEY+LOCK;                     //  lock info  

  __enable_interrupt();                    // 5xx Workaround
}


Где опять собака могла порыться?
Go to the top of the page
 
+Quote Post



Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 3rd August 2025 - 11:49
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.0137 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016