STM32 Vbat больше Vdd, Vbat=3.3V Vdd=2.8V Опции

[AnatolyT]

Вопрос следующий: можно ли подавать на питание батарейного домена напряжение больше напряжения питания?
Почему: питание устройства производится от 4-х никелевых аккумуляторов (диапазон напряжений: 4-6В).
Напряжение питания ARM STM32F103 и дисплея (2.8В) вырабатывает импульсный преобразователь, для питания бат.домена (3.3В) -
LDO с микропотреблением (LT1763-3.3) через диод. Падение на диоде очень мало, ARM в спящем режиме потребляет микротоки, точка
на характеристике диода около нуля. Диод нужен при переключении в рабочий режим, в мануале есть про это.
Однако, нигде не сказано о возможности подключения к разным напряжениям питания.
Или возможно здесь есть какое либо другое решение?

[coolbassnik]

Из референс-мануала на STM32F103:

Warning: During tRSTTEMPO (temporization at VDDstartup) or after a PDR
is detected, the power switch between V
BAT and VDDremains
connected to VBAT.
During the startup phase, if VDDis established in less than
tRSTTEMPO(Refer to the datasheet for the value of tRSTTEMPO)
and VDD> VBAT+ 0.6 V, a current may be injected into VBAT
through an internal diode connected between VDDand the
power switch (VBAT).
If the power supply/battery connected to the V
BATpin cannot
support this current injection, it is strongly recommended to
connect an external low-drop diode between this power
supply and the VBATpin.

Получается что если у вас баттарейное питание уже подключено через диод - то все должно быть ОК

Сообщение отредактировал coolbassnik - Feb 1 2014, 12:09