Есть схема коммутации с нижним ключом(IGBT), нагрузка индуктивная (около 100мкГн),мгновенный ток до 200А, для сброса ЭДС самоиндукции применяется диод. Частота коммутации 1кГц, скважность 3%-98%. Применяю диод
STTH12010TV. Всё отлично, встал вопрос выбора диода для такой же схемы, но c мгновенным током до 600А. И вот тут начались проблемы: диоды с такими токами обладают бОльшим временем восстановления, нашел только vskdu162 у него Trr = 150нс, не знаю подойдет ли.
1) Как время нарастания зависит от времени восстановления (время восстановления пишут в даташитах, время нарастания нет)?
2) Подойдут ли для таких целей транзисторы со встроенным freewheel диодом, типа
SKM400GAL12E4 в даташите нет указания на время восстановления.