Здравствуйте, нужна помощь в понимании фундаментальных основ. Пытаюсь согласовать мощный вч транзистор и похоже что-то я упускаю. Провел Load-pull анализ и получил значения 1.25 +*j1.55 = Zload и 0.5 + *j1.5 = Zsource. Оба значения для одного транзистора, то есть для push-pull, Zload 2.5 +*j3.1 и для Zsource 1.0 + *j3.0.
Далее попытался спроектировать балун вроде что-то получилось. Значения импедансов в ADS выбрал 50 Ohm порт1 и 10 Ohm дифференциальный порт2. Схема подключения на рисунке 1. Теперь можно вывести график S(2,2) на диаграмме Смита (рис 5). Вопрос будет ли это реальным импедансом балуна со стороны балансных портов?
Еще вопрос, в инструмент согласование забивать значения *Zsource = 2.5 +*j3.1 а Zload (импеданс балуна) допустим = 10 +j*2. Правильно? я так понимаю значение в Zsource вписывать сопряженное с импедансом транзистора.
У меня получилось последовательная индуктивность в районе 8нГн и емкость 160-180 пкФ. Так как мне надо дифф. схему значение индуктивностей разделил на 2. Далее 4 нГн симитировал отрезком линии. Схему нагрузил на терминал с импедансом 2.5 -*j3.1 И далее запустил оптимизацию. Что то в результате оптимизатор переиначил все значения (то что забил вручную давали не оч. хорошее согласование). Проверил отрезки линий перед транзистором получил около 4нГн значения как и должно быть. Далее вообще их убрал и оставил только балун, но значения конденсаторов оставил из пред анализа, нагрузив на 10 Ом получил значения около 5 + 5 Ом. Этот момент непонятен. То есть стал иметь импеданс 6 Ом ? рис 2
Harmonic balance тоже показал чет не очень результаты. Рис 3.
А также я не понял как такую схему с тремя портами проверять (дисбаланс, фаз и амплитуд), пробовал задавать терминалам половину от дифф. сопротивления, но чет не могу понять результаты, так как сигнал делиться надвое у обоих портов S(2,2) и S(3,3) соответственно меняются. Такое вроде как надо мерить mixed S param, но я не умею.
И еще почему то, что я сделал сильно отличается от того что производители сделали, хоть в схемах и разное сопротивление но разница в дизайне велика. Например длины линий перед выходным балуном, очень короткие.
Сообщение отредактировал ASDFG123 - Aug 7 2018, 17:35
Эскизы прикрепленных изображений
Согласование Push-Pull RF транзистора с планарным балуном
Aug 7 2018, 17:32
