Вопрос по трассировке SDRAM и LPC43xx, Помогите прояснить некоторые моменты по трассировке Опции

[Flik]

Всем добрый день. Добрались до того момента когда внутренней памяти не хватило на LPC и поставили внешнюю SDRAM на 128 Мбит с организацией 1Mx32x4 banks. Соответственно SDRAM раньше не трассировали и появились вопросы которые хотелось бы задать опытным товарищам.

1. Все апноты, и от NXP и от MICRON говорят что хорошо будет работать минимум на 6-и слойной плате с 3-я или 4-я сигнальными слоями с контролем импеданса. В случае с микроновским апнотом ещё понятно, там и для DDR рекомендации. Плата большая, процессор в корпусе BGA256, раньше было 4 слоя теперь судя по всему будет 6 слоёв и сборка не типовая для резонита.
Отсюда вопрос - насколько будет работоспособна память если её трассировать на 4-х слоях? Частота памяти 102МГц планируется. Насколько точно нужно выравнивать линии для такой памяти и контролировать импеданс? Пока приняли решение сделать трассировку на 6-и слоях по всем рекомендациям, но хотелось бы потом на 4 слоя перевести если возможно

2. Стекап платы Во всех апнотах приведён 6-и слойный и он естественно не совпадает с типовой сборкой резонита. Составляю стек сам из материалов которые есть в табличке резонита. У меня получается вот так

Правильный ли я выбрал стек для этого применения?


По трассировке должно получаться что слои L1 и L3 должны быть с контролем импеданса относительно слоя L2 - GND, а слои L4 и L6 быть с контролем импеданса относительно L5-Power Vcc.

Если верить калькулятору Saturn PCB Toolkit при таком стэке буду использовать следующие линии. Для клока апнот от NXP допускает от 60 до 80Ом. Используем линии 0,2 мм с импедансом около 70 Ом



Для всего остального используем линии 0,11мм с импедансом около 87 Ом



3. Пишут что если трассы данных длиннее 1,5", надо ставить терминаторы у памяти по 22 Ом. У нас пока получается по 49 мм примерно. То есть чуть меньше чем 2". Обязательно терминаторы добавлять? В 2-х отладочных платах память без терминаторов. В одном случае линии могут быть короткими, во втором стоит примерно как у нас но терминаторов нет

В общем если сделаю по апнотам с параметрами как написал - заработает?

Если болт на рекомендации положить и только выравнять линии и забить на импеданс и сделать на стандартном стэке резонита или вообще на 4-х слойной сколько шансов что будет работоспособно? Про плохой путь чисто практический интерес. Лично видел серийную SRAM на частоте около 80 МГц и там шина адреса и данных разведена очень длинно и с кучей ветвлений и работает безсбойно. Но там SRAM асинхронная, а не SDRAM

Предварительная черновая трассировка





И ещё вот что не до конца понял. Пишут что EMC процессора потянет от 60 до 100 Ом импеданс, а потом пишут что клоку 65-66 Ом делать, а остальному 80. Правильно ли я понимаю что работать будет в любом случае если импеданс любой линии будет от60 до 100 и главное что бы в группе сигналов импеданс был одинаков, а какой он не сильно роль играет?