1200V SiC MOSFET модули в корпусе EasyDUAL 1B Опции

[КОМПЭЛ]

Представлены новые 1200V SiC MOSFET модули в корпусе EasyDUAL 1B из линейки карбид-кремниевых приборов CoolSiC™ от Infineon. Максимальное напряжение сток-исток приборов составляет 1200 В, топология соединения — полумост. Модули оснащены встроенным в подложку NTC датчиком. Новые приборы обладают низкими значениями RDS(ON) и при этом, в отличии от классических Si IGBT, позволяют работать на высоких частотах.
Подробнее