Собственно сабж.
Нада запустить проектик. В нем есть генератор (50-100КГц). Есть технология 0.6u 5V + 25V опция.
По технологии минимальный разброс по PIP кондеденсатору и равен 15. Нужно 7 % генератор. Резистор внешний. И конечноже без тримминга.
Вот. После долгих бессоных ночей и изучения доков на технологию обнаружил что толщина окисла у транзисторов имеет разброс около 4 % причем у высоковольтных еще меньше
. Собсна из теории все знают что подзатворная емкость MOS пропорциональна Tox. Т.е. если использовать в диапазоне напряжений начиная от 2*Vth он работает как сносный конденсатор. Разработал схему . Обычную. Два компаратора, зеркала для зарядного и разрядного токов RS триггер и там еще по мелочи. Промоделировал по всем спайсам температурам и напряжениям. Результат изумительный. Точность подтверждается и находится в раене 3,5%(видно остальные транзисторы в схеме компенсируют уход по спайсам).
Из этого вопрос. Делал ли кто реально такое и что реально получалось на кристале. Т.к. результаты радуют, но вспоминается закон Мерфи "Если все идет хорошо, значит вы чегото не учли".
Давайте это Господа и обсудим. А может кто и идейку другую подкинет.
P.S. Да фабрика Карейская, проверенная.
MOS как конденсатор-делимся опытом
Jan 17 2007, 17:23
