Здравствуйте! Проводя электромагнитный анализ транзистора в программе CST (представлено на рис. 1), столкнулся со следующей проблемой: взаимная индуктивность между проволочками с портами 3 и 11, 3 и 13 и т.д. (рис. 2) получается отрицательной. Микрополосковую линию вычитаю в сечении вывода корпуса транзистора. Другими словами |Z1_13| > |Z3_13|, а должен быть меньше (|Z1_13| - это импеданс бортика корпуса транзистора, а |Z3_13| - это импеданс бортика + взаимная индуктивность между 3 и 13 проволочками. При этом взаимная индуктивность между проволочками 3 и 5, 3 и 7, 3 и 9 - получается положительной. Если считать взаимную индуктивность проволочек без корпуса транзистора - получается все взаимные индуктивности между проволочками >0, как только добавляю емкость бортика - получается ошибка... Может здесь эквивалентная схема не точна (эквивалентная схема представляет из себя емкость корпуса бортика с последовательно подключенными к ней индуктивностями 10-ти параллельных проволочек) или же это ограничение CST? Кто-нибудь сталкивался с подобной проблемой?
Рис. 1:
Рис. 2:
Сообщение отредактировал Stefan1 - Nov 18 2013, 19:29
Моделирование проволочек в транзисторе
Nov 18 2013, 13:41
